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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR320BTF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR320BTF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR320BTF-VB 產(chǎn)品簡介

IRFR320BTF-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,并且采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)。該 MOSFET 專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì),具有較高的耐壓能力和可靠的開關(guān)性能。其最大漏源極電壓為 650V,適合在高壓環(huán)境下工作。IRFR320BTF-VB 的最大漏極電流為 5A,提供足夠的電流處理能力,適用于需要高耐壓和高可靠性的電力電子應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 10V 柵源極電壓下為 1000mΩ,確保在導(dǎo)通狀態(tài)下具有合理的功率損耗。

### 二、IRFR320BTF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)  
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1000mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 5A  
- **技術(shù)類型**: SJ_Multi-EPI  
- **功率耗散**: 提供足夠的功率處理能力,適用于高壓和高功率密度的應(yīng)用。

### 三、IRFR320BTF-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓電源管理**
  IRFR320BTF-VB 適用于高壓電源管理系統(tǒng),如開關(guān)電源和高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其高漏源極電壓能力使其能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,確保電源系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

2. **逆變器**
  在光伏逆變器或其他逆變器應(yīng)用中,IRFR320BTF-VB 的高耐壓特性非常重要。它可以用于高壓直流電源的開關(guān),轉(zhuǎn)換為交流電或其他電壓等級(jí),以滿足系統(tǒng)要求。

3. **電力轉(zhuǎn)換器**
  該 MOSFET 適用于高功率電力轉(zhuǎn)換器,如工業(yè)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高耐壓和合理的導(dǎo)通電阻確保了在高功率環(huán)境下的高效能和可靠性。

4. **電氣保護(hù)**
  在高壓電氣保護(hù)系統(tǒng)中,如過電壓保護(hù)電路,IRFR320BTF-VB 能夠處理高電壓,并提供有效的保護(hù)功能。它的高漏源極電壓和可靠的開關(guān)性能確保系統(tǒng)在異常情況下能夠正常工作。

5. **工業(yè)控制**
  該 MOSFET 也適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的高電壓開關(guān)應(yīng)用。例如,在電動(dòng)機(jī)控制、電力調(diào)節(jié)和負(fù)載開關(guān)中,IRFR320BTF-VB 提供了高壓開關(guān)解決方案,以滿足工業(yè)應(yīng)用的要求。

IRFR320BTF-VB 的高壓處理能力和可靠的開關(guān)性能使其在高壓和高功率密度的電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

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