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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR320B-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR320B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR320B-VB 產(chǎn)品簡介

IRFR320B-VB 是一款高電壓 N-溝道 MOSFET,封裝為 TO252。該 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具有高達(dá) 650V 的漏極-源極電壓(VDS)和 5A 的最大漏極電流(ID)。IRFR320B-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1000mΩ,適用于需要高電壓和中等電流的應(yīng)用。這種高電壓 MOSFET 主要用于要求高耐壓和高穩(wěn)定性的電子電路中。

### 二、IRFR320B-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **極性**:N-溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:5A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(多層 EPI 技術(shù))
- **功耗**:最大 60W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**:典型值 68nC
- **輸入電容 (Ciss)**:700pF
- **反向恢復(fù)電荷 (Qrr)**:典型值 20nC
- **典型開關(guān)頻率**:高于100kHz

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

IRFR320B-VB 的設(shè)計使其在多種高電壓和中等電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高壓電源開關(guān)**
  IRFR320B-VB 在高壓電源開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。其 650V 的高電壓耐受能力使其適合用于高壓電源模塊、開關(guān)電源(SMPS)以及其他需要高電壓保護(hù)的電源系統(tǒng)。這種 MOSFET 能夠高效地處理高電壓切換,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電力轉(zhuǎn)換器**
  在電力轉(zhuǎn)換器中,IRFR320B-VB 提供了必要的高電壓和中等電流能力。它在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器中使用時,能夠有效地轉(zhuǎn)換電壓并保持系統(tǒng)高效運作。其導(dǎo)通電阻適中的特點有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。

3. **電機(jī)控制**
  IRFR320B-VB 也適用于電機(jī)控制應(yīng)用,特別是在需要高電壓保護(hù)的場景中。盡管其電流能力有限,但它能在高電壓條件下穩(wěn)定控制電機(jī)的啟動和運行,適合用于高壓驅(qū)動電機(jī)和工業(yè)控制系統(tǒng)。

4. **工業(yè)電源管理**
  在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中,IRFR320B-VB 能夠處理高電壓負(fù)載,適合用于高壓電池管理系統(tǒng)、電源分配和功率模塊。其高電壓耐受性和穩(wěn)定性能對于保障工業(yè)設(shè)備的電力供應(yīng)和保護(hù)具有重要作用。

5. **高壓開關(guān)設(shè)備**
  IRFR320B-VB 在高壓開關(guān)設(shè)備中能夠有效處理高電壓負(fù)載,適用于各種開關(guān)控制系統(tǒng)。其高耐壓特性使其在需要處理高電壓的開關(guān)和保護(hù)電路中表現(xiàn)穩(wěn)定,確保設(shè)備的可靠性和安全性。

通過上述應(yīng)用場景,可以看出 IRFR320B-VB 在高電壓和中等電流的應(yīng)用中具有廣泛的適用性,特別是在電源開關(guān)、電力轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和工業(yè)電源管理等領(lǐng)域。### 一、IRFR320B-VB 產(chǎn)品簡介

IRFR320B-VB 是一款高電壓 N-溝道 MOSFET,封裝為 TO252。該 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具有高達(dá) 650V 的漏極-源極電壓(VDS)和 5A 的最大漏極電流(ID)。IRFR320B-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1000mΩ,適用于需要高電壓和中等電流的應(yīng)用。這種高電壓 MOSFET 主要用于要求高耐壓和高穩(wěn)定性的電子電路中。

### 二、IRFR320B-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **極性**:N-溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:5A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(多層 EPI 技術(shù))
- **功耗**:最大 60W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**:典型值 68nC
- **輸入電容 (Ciss)**:700pF
- **反向恢復(fù)電荷 (Qrr)**:典型值 20nC
- **典型開關(guān)頻率**:高于100kHz

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

IRFR320B-VB 的設(shè)計使其在多種高電壓和中等電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高壓電源開關(guān)**
  IRFR320B-VB 在高壓電源開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。其 650V 的高電壓耐受能力使其適合用于高壓電源模塊、開關(guān)電源(SMPS)以及其他需要高電壓保護(hù)的電源系統(tǒng)。這種 MOSFET 能夠高效地處理高電壓切換,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電力轉(zhuǎn)換器**
  在電力轉(zhuǎn)換器中,IRFR320B-VB 提供了必要的高電壓和中等電流能力。它在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器中使用時,能夠有效地轉(zhuǎn)換電壓并保持系統(tǒng)高效運作。其導(dǎo)通電阻適中的特點有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。

3. **電機(jī)控制**
  IRFR320B-VB 也適用于電機(jī)控制應(yīng)用,特別是在需要高電壓保護(hù)的場景中。盡管其電流能力有限,但它能在高電壓條件下穩(wěn)定控制電機(jī)的啟動和運行,適合用于高壓驅(qū)動電機(jī)和工業(yè)控制系統(tǒng)。

4. **工業(yè)電源管理**
  在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中,IRFR320B-VB 能夠處理高電壓負(fù)載,適合用于高壓電池管理系統(tǒng)、電源分配和功率模塊。其高電壓耐受性和穩(wěn)定性能對于保障工業(yè)設(shè)備的電力供應(yīng)和保護(hù)具有重要作用。

5. **高壓開關(guān)設(shè)備**
  IRFR320B-VB 在高壓開關(guān)設(shè)備中能夠有效處理高電壓負(fù)載,適用于各種開關(guān)控制系統(tǒng)。其高耐壓特性使其在需要處理高電壓的開關(guān)和保護(hù)電路中表現(xiàn)穩(wěn)定,確保設(shè)備的可靠性和安全性。

通過上述應(yīng)用場景,可以看出 IRFR320B-VB 在高電壓和中等電流的應(yīng)用中具有廣泛的適用性,特別是在電源開關(guān)、電力轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和工業(yè)電源管理等領(lǐng)域。

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