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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR320-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR320-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR320-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR320-VB 是一款高壓N溝道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術(shù),封裝在TO252外殼中。這款MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為650V,設(shè)計(jì)用于高電壓開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1000mΩ,在10V的柵源電壓下。開啟電壓(Vth)為3.5V,漏極電流(ID)最大為5A。IRFR320-VB 適合用于需要高電壓和中等電流承載能力的應(yīng)用,如電源開關(guān)、工業(yè)控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

### 二、IRFR320-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **最大功耗 (Ptot)**: 94W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **輸入電容 (Ciss)**: 2900pF
- **輸出電容 (Coss)**: 360pF
- **反向傳輸電容 (Crss)**: 35pF
- **開關(guān)時(shí)間**: 適用于中等頻率應(yīng)用
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

IRFR320-VB 的高壓和中等電流特性使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中非常實(shí)用:

1. **電源開關(guān)**:
  IRFR320-VB 由于其650V的高漏源電壓,非常適合用于高電壓電源開關(guān)應(yīng)用。例如,在電力轉(zhuǎn)換器中,它可以用作主開關(guān)元件,處理高電壓電源的開關(guān),提供穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換,并保證系統(tǒng)的安全性和可靠性。

2. **工業(yè)控制**:
  在工業(yè)控制系統(tǒng)中,IRFR320-VB 可用于控制高電壓設(shè)備的開關(guān)。由于其高電壓耐受能力和可靠的導(dǎo)通性能,這款MOSFET 可以在電機(jī)控制、變頻器和其他工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中提供穩(wěn)定的控制。

3. **功率轉(zhuǎn)換器**:
  IRFR320-VB 也適用于功率轉(zhuǎn)換器,如逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理高壓輸入和高壓輸出的轉(zhuǎn)換,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)作。

4. **LED驅(qū)動(dòng)器**:
  在高功率LED驅(qū)動(dòng)器中,IRFR320-VB 可以用作開關(guān)元件,控制LED的電流和功率。高電壓能力使其能夠處理LED系統(tǒng)中的高電壓應(yīng)用,確保燈具的穩(wěn)定性和長(zhǎng)壽命。

5. **家用電器**:
  在家用電器中,如高壓電源適配器和家電控制模塊,IRFR320-VB 能夠有效地處理電流和電壓,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。這使得其在高壓家用設(shè)備中的應(yīng)用非??煽?。

總之,IRFR320-VB 的高電壓處理能力、適中的導(dǎo)通電阻和寬廣的工作溫度范圍,使其在電源開關(guān)、工業(yè)控制、功率轉(zhuǎn)換、LED驅(qū)動(dòng)和家用電器等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用,適用于各種需要高電壓處理和開關(guān)控制的系統(tǒng)。

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