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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR3704ZCPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR3704ZCPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRFR3704ZCPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計用于低電壓高電流應(yīng)用。其漏極源極電壓(VDS)為20V,最大漏極電流(ID)高達100A,且導(dǎo)通電阻極低。該器件采用Trench技術(shù),具有出色的開關(guān)性能和低損耗特性,非常適合用于需要高效電流傳輸?shù)膽?yīng)用場合。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: IRFR3704ZCPBF-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **低壓高電流電源管理**:
  - 由于IRFR3704ZCPBF-VB的極低導(dǎo)通電阻和高電流能力,它在低壓、高電流的電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。其4.5mΩ的導(dǎo)通電阻(VGS = 4.5V)在電流傳輸過程中極大減少了損耗,適合用于高效電源開關(guān)和轉(zhuǎn)換器設(shè)計。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  - 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET作為主要開關(guān)元件,可以提高電壓轉(zhuǎn)換的效率和穩(wěn)定性。其100A的高電流能力和極低導(dǎo)通電阻確保了高功率轉(zhuǎn)換,特別適用于服務(wù)器、通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等需要高效轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。

3. **電機驅(qū)動控制**:
  - IRFR3704ZCPBF-VB適合用于需要高電流控制的電機驅(qū)動系統(tǒng)。它能夠在低電壓條件下驅(qū)動高電流電機,確保電機啟動和運行的平穩(wěn)性,同時由于其低導(dǎo)通電阻,減少了熱損耗并提高了效率。

4. **電池管理系統(tǒng)**:
  - 在電池管理和保護系統(tǒng)中,該MOSFET能夠在低壓電池系統(tǒng)中高效地控制電流的傳輸和管理。它的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于電池充放電管理模塊,確保高效的能量傳輸和電池壽命的延長。

這些應(yīng)用示例表明IRFR3704ZCPBF-VB適用于低壓高電流的各類領(lǐng)域,尤其是在電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中,能夠提供高效且可靠的性能。

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