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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR3706CTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR3706CTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

IRFR3706CTRPBF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓、高電流應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓(VDS)為 20V,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V。該 MOSFET 具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時僅為 4.5mΩ,適合高效開關(guān)和電流處理。IRFR3706CTRPBF-VB 的開啟閾值電壓(Vth)在 0.5V 到 1.5V 之間,支持低柵電壓操作,能夠快速響應(yīng)開關(guān)控制信號。其最大漏極電流(ID)可達 100A,采用 Trench 技術(shù),能夠提供卓越的導(dǎo)通性能和高效的開關(guān)特性。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS=2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **功耗 (Ptot)**: 100W
- **結(jié)溫 (Tj)**: 175°C
- **技術(shù)**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高效率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: IRFR3706CTRPBF-VB 由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,特別適用于高效率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。這使得它在電池供電的設(shè)備中尤為有效,比如移動設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品,能顯著提升轉(zhuǎn)換效率并減少能量損失。

2. **電動汽車和電池管理系統(tǒng)**: 在電動汽車和高級電池管理系統(tǒng)中,MOSFET 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻對于提高整體能效和延長電池壽命至關(guān)重要。IRFR3706CTRPBF-VB 可以用作電池開關(guān)、充電器開關(guān)和功率管理模塊中的關(guān)鍵組件。

3. **電源開關(guān)和負載開關(guān)**: 其高電流處理能力和低導(dǎo)通損耗使得該 MOSFET 非常適合用于各種電源開關(guān)和負載開關(guān)應(yīng)用,包括工業(yè)設(shè)備、家用電器和消費電子產(chǎn)品中的電源控制和負載切換。

4. **高頻開關(guān)電路**: 在高頻開關(guān)電路中,IRFR3706CTRPBF-VB 的低柵源電壓開啟特性和高開關(guān)速度使其適用于高頻開關(guān)應(yīng)用,比如高頻電源轉(zhuǎn)換器和信號調(diào)理電路。

總的來說,IRFR3706CTRPBF-VB 的高電流處理能力和極低的導(dǎo)通電阻使其成為高效開關(guān)電路設(shè)計的理想選擇,廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換、電動汽車、電池管理、電源開關(guān)和高頻開關(guān)電路等領(lǐng)域。

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