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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR3709ZTRRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR3709ZTRRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR3709ZTRRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRFR3709ZTRRPBF-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,基于先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。這款MOSFET具有較低的漏源極電壓(VDS)為30V,和寬閾值電壓(Vth)范圍,從1.7V起。其在VGS=4.5V時的導(dǎo)通電阻為3mΩ,在VGS=10V時為2mΩ,能夠承受高達(dá)100A的漏極電流。低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力使其特別適用于高效率和高功率密度的應(yīng)用場景。

### IRFR3709ZTRRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IRFR3709ZTRRPBF-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2mΩ@VGS=10V
 - 3mΩ@VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench
- **功耗**: 適合高功率密度應(yīng)用
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高效電源開關(guān)**: IRFR3709ZTRRPBF-VB 由于其超低的導(dǎo)通電阻和高電流承受能力,適合用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。例如,它可以在開關(guān)電源中有效減少功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。這在需要高功率轉(zhuǎn)換和高頻開關(guān)的場合尤為重要。

2. **電動汽車電源管理**: 在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中,這款MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其成為理想的選擇。它可以用于電動汽車的電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中,提供高效的電流控制和功率轉(zhuǎn)換。

3. **工業(yè)電源控制**: 在工業(yè)電源控制模塊中,IRFR3709ZTRRPBF-VB 可以用作高效的電源開關(guān)和調(diào)節(jié)器。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保了在高負(fù)荷條件下的穩(wěn)定性和可靠性,適用于工業(yè)電源分配和保護(hù)電路。

4. **通信設(shè)備電源管理**: 這款MOSFET 也適合用于通信設(shè)備中的電源管理和保護(hù)電路。它的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻可確保在通信設(shè)備的電源模塊中提供高效的電流開關(guān)和穩(wěn)定的性能。

5. **電池保護(hù)電路**: IRFR3709ZTRRPBF-VB 可用于電池保護(hù)電路,尤其是在需要高電流處理和高效率的電池保護(hù)方案中。其超低的導(dǎo)通電阻使其能夠有效管理電池的充放電過程,保護(hù)電池免受過流和過熱的損害。

總之,IRFR3709ZTRRPBF-VB 是一款性能卓越的MOSFET,適用于要求高效率和高功率密度的各種應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,使其在電源開關(guān)、電動汽車、電源控制、通信設(shè)備電源管理以及電池保護(hù)電路中具有廣泛的應(yīng)用前景。

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