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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR3710STRRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR3710STRRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR3710STRRPBF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電流和低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。它的漏源電壓(VDS)為 100V,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))極低,在 VGS=10V 時(shí)為 18mΩ,確保高效的電流傳輸和最小的功率損耗。IRFR3710STRRPBF-VB 的開啟閾值電壓(Vth)為 1.8V,支持低柵電壓操作,使其在開關(guān)控制信號(hào)下能夠快速響應(yīng)。憑借其 45A 的最大漏極電流(ID),它適合用于需要高電流處理的應(yīng)用場(chǎng)合,采用 Trench 技術(shù),具備優(yōu)異的導(dǎo)通性能和開關(guān)特性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 18mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 45A
- **功耗 (Ptot)**: 150W
- **結(jié)溫 (Tj)**: 175°C
- **技術(shù)**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: IRFR3710STRRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。這可以顯著提升轉(zhuǎn)換效率,減少功率損失,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、通信設(shè)備以及各種電池供電系統(tǒng)中。

2. **電動(dòng)汽車和電池管理系統(tǒng)**: 在電動(dòng)汽車和電池管理系統(tǒng)中,MOSFET 的高電流能力和低導(dǎo)通損耗對(duì)于提高系統(tǒng)能效至關(guān)重要。IRFR3710STRRPBF-VB 可用作電池開關(guān)、充電器開關(guān)和功率管理模塊中,優(yōu)化電池充電和放電過程,提升整體系統(tǒng)性能。

3. **工業(yè)電源開關(guān)**: 該 MOSFET 在工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,由于其高電流處理能力和低功耗特性,適合用于工業(yè)設(shè)備的電源開關(guān)和負(fù)載控制,能夠有效提高系統(tǒng)的可靠性和效率。

4. **高頻開關(guān)電路**: 在高頻開關(guān)電路中,IRFR3710STRRPBF-VB 的快速開關(guān)特性和低柵電壓開啟特性使其成為理想選擇,廣泛應(yīng)用于高頻電源轉(zhuǎn)換器、信號(hào)調(diào)理電路以及高頻開關(guān)電源中,提升電路的響應(yīng)速度和效率。

總的來說,IRFR3710STRRPBF-VB 由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車、電池管理、工業(yè)電源開關(guān)和高頻開關(guān)電路等多種高效能應(yīng)用場(chǎng)合。

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