--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
- ID 45A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IRFR3710ZTR-VB 產(chǎn)品簡介
IRFR3710ZTR-VB 是一款高性能的 N-溝道 MOSFET,封裝為 TO252,適用于要求高電流處理和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。它支持最大 100V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和高達 45A 的漏極電流 (ID)。該 MOSFET 在 VGS = 10V 時的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 18mΩ,提供了低功耗和高效率的開關(guān)性能。采用 Trench 技術(shù),IRFR3710ZTR-VB 提供了快速的開關(guān)速度和優(yōu)異的電流處理能力,非常適合用于高效功率管理和電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
### 二、IRFR3710ZTR-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **極性**:N-溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:100V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:45A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)
- **功耗**:最大 100W
- **開關(guān)速度**:高效快速開關(guān)能力
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**:典型值 70nC
- **輸入電容 (Ciss)**:2500pF
- **反向恢復(fù)電荷 (Qrr)**:典型值 20nC
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
IRFR3710ZTR-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合以下應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理**
IRFR3710ZTR-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器和電源穩(wěn)壓模塊。其低導(dǎo)通電阻減少了功耗,提升了系統(tǒng)的整體效率。該 MOSFET 能夠在高電流負(fù)載下保持穩(wěn)定,適合用于高效能電源管理解決方案。
2. **電池管理系統(tǒng)**
在電池管理系統(tǒng)中,IRFR3710ZTR-VB 可用于電池保護和充電器控制。其高電流處理能力和低導(dǎo)通損耗確保電池在充放電過程中高效且穩(wěn)定,增強了電池管理系統(tǒng)的性能。
3. **汽車電子**
IRFR3710ZTR-VB 適合用于汽車電子模塊,如電動座椅、電源管理系統(tǒng)和車載照明。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力確保系統(tǒng)能夠在高負(fù)載情況下可靠工作,提高了汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性和耐用性。
4. **通信設(shè)備**
在通信設(shè)備中,IRFR3710ZTR-VB 可用于電源轉(zhuǎn)換模塊和高頻開關(guān)應(yīng)用。其快速開關(guān)速度和高電流處理能力保證了通信設(shè)備的穩(wěn)定性,特別是在無線基站和數(shù)據(jù)處理設(shè)備中發(fā)揮作用。
5. **消費電子產(chǎn)品**
IRFR3710ZTR-VB 在消費電子產(chǎn)品中,諸如智能手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理模塊中表現(xiàn)出色。其高效能的電流處理和低功耗特性確保設(shè)備在高負(fù)載情況下的穩(wěn)定運行,提升了設(shè)備的性能和電池壽命。
IRFR3710ZTR-VB MOSFET 以其卓越的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,廣泛適用于各種高效能電源管理和高電流負(fù)載的應(yīng)用領(lǐng)域,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
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