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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR3711ZCTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR3711ZCTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRFR3711ZCTRPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計。這款MOSFET具有最大漏極源極電壓(VDS)為20V,漏極電流(ID)高達(dá)120A。它采用Trench技術(shù),提供極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少功率損耗和提高開關(guān)效率。IRFR3711ZCTRPBF-VB 適用于各種需要高效電流傳輸和低開關(guān)損耗的應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IRFR3711ZCTRPBF-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.5mΩ @ VGS = 2.5V
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **高效電源轉(zhuǎn)換**:
  - IRFR3711ZCTRPBF-VB 在高效電源轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異。其超低導(dǎo)通電阻(2.5mΩ @ VGS = 4.5V)和高電流能力(120A)使其非常適合用于需要高效電力轉(zhuǎn)換的應(yīng)用,如高功率開關(guān)電源和高效DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**:
  - 該MOSFET的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其成為電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中的理想選擇。它能夠在低電壓條件下驅(qū)動高電流電機(jī),確保平穩(wěn)運(yùn)行和高效控制,適合用于電動汽車、工業(yè)電機(jī)控制以及其他需要高電流驅(qū)動的電機(jī)應(yīng)用。

3. **電池管理和保護(hù)**:
  - 在電池管理系統(tǒng)中,IRFR3711ZCTRPBF-VB 可用于電池保護(hù)和充放電管理。其低導(dǎo)通電阻有助于提高充電和放電效率,同時高電流能力確保電池系統(tǒng)在高負(fù)載情況下的可靠性和穩(wěn)定性,適合用于電動汽車、電池儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域。

4. **高功率LED驅(qū)動**:
  - 在高功率LED驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET能夠提供穩(wěn)定的電流控制。其極低的導(dǎo)通電阻和高電流能力確保了LED驅(qū)動的高效和穩(wěn)定,適合用于需要高功率LED照明系統(tǒng)的電流控制和開關(guān)應(yīng)用。

這些應(yīng)用示例展示了IRFR3711ZCTRPBF-VB 在高電流和低電壓應(yīng)用中的卓越性能,特別適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理和高功率LED驅(qū)動等領(lǐng)域,提供高效、可靠的解決方案。

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