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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR3712TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR3712TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

IRFR3712TRPBF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252。它采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù),專(zhuān)為高效能電力開(kāi)關(guān)和轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,使其在要求高效率和快速響應(yīng)的應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。其寬閾值電壓范圍和優(yōu)良的導(dǎo)通性能使其在各種功率管理場(chǎng)景下非常適用。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**:20V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.5mΩ @ VGS=2.5V
 - 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**:120A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)
- **其他特點(diǎn)**:提供超低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合高功率應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)和功率控制。

### 3. 適用領(lǐng)域與模塊舉例:

- **電源管理**:IRFR3712TRPBF-VB 適用于各種電源管理應(yīng)用,如高效能的降壓和升壓轉(zhuǎn)換器。其極低的導(dǎo)通電阻使得在高電流情況下能夠減少功耗,從而提高電源轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。

- **汽車(chē)電子**:在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用于電動(dòng)窗、電動(dòng)座椅調(diào)整以及電源分配模塊。其高電流處理能力和低 RDS(ON) 有助于提高系統(tǒng)的能效和響應(yīng)速度,特別是在需要快速切換和高功率控制的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異。

- **工業(yè)控制**:IRFR3712TRPBF-VB 非常適合用于工業(yè)設(shè)備的高功率開(kāi)關(guān)控制,如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻幫助提升設(shè)備的性能和可靠性,特別是在要求高電流處理的工業(yè)環(huán)境中。

- **通信設(shè)備**:在通信設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于功率開(kāi)關(guān)和負(fù)載控制,特別是在基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的電源模塊中。其低 RDS(ON) 和高電流處理能力能夠有效減少能耗并確保設(shè)備的穩(wěn)定性和高效運(yùn)行。

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