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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR3714ZTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR3714ZTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR3714ZTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRFR3714ZTRPBF-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,并基于先進的Trench技術(shù)制造。這款MOSFET設(shè)計用于高效率的開關(guān)應(yīng)用,其漏源極電壓(VDS)為30V,具有寬閾值電壓范圍(Vth)從1.7V起。在柵源極電壓(VGS)為10V時,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至7mΩ,能夠承受高達70A的漏極電流。低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其適用于要求高功率密度和高效率的應(yīng)用場合。

### IRFR3714ZTRPBF-VB 詳細參數(shù)說明

- **型號**: IRFR3714ZTRPBF-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 7mΩ@VGS=10V
 - 9mΩ@VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench
- **功耗**: 適合高功率密度應(yīng)用
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高效電源開關(guān)**: IRFR3714ZTRPBF-VB 由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,非常適合用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。這使其在高效率開關(guān)電源(SMPS)中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠減少功率損耗,提高整體系統(tǒng)效率,特別是在高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中。

2. **電動汽車電源管理**: 在電動汽車領(lǐng)域,這款MOSFET能夠有效管理電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中的高電流需求。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在電動汽車的電源模塊中提供高效的電流控制和功率轉(zhuǎn)換。

3. **工業(yè)電源控制**: IRFR3714ZTRPBF-VB 也適合用于工業(yè)電源控制系統(tǒng)中。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保了在工業(yè)電源分配和保護電路中的穩(wěn)定性和高效性,適合用于要求高功率密度的工業(yè)應(yīng)用。

4. **通信設(shè)備電源管理**: 這款MOSFET 可以用于通信設(shè)備中的電源管理模塊。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻可確保在通信設(shè)備的電源模塊中提供高效的電流開關(guān)和穩(wěn)定的性能,尤其在需要高功率開關(guān)的通信應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

5. **電池保護電路**: IRFR3714ZTRPBF-VB 適用于電池保護電路中,尤其是在需要高電流處理和高效率的電池保護方案中。其極低的導(dǎo)通電阻有助于高效管理電池的充放電過程,保護電池免受過流和過熱的損害。

綜上所述,IRFR3714ZTRPBF-VB 是一款性能卓越的MOSFET,其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其適用于高效率電源開關(guān)、電動汽車、電源控制、通信設(shè)備電源管理和電池保護等多個應(yīng)用領(lǐng)域。

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