--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR3717TRPBF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,特別適合低電壓、高電流應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為 20V,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))非常低,在 VGS=4.5V 時(shí)為 2.5mΩ,這意味著其具有極低的功率損耗和高效的電流傳輸能力。IRFR3717TRPBF-VB 的開啟閾值電壓(Vth)在 0.5V 到 1.5V 之間,允許在較低的柵電壓下實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。憑借其 120A 的最大漏極電流(ID),該 MOSFET 適合用于需要高電流處理和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景,采用 Trench 技術(shù),具備出色的導(dǎo)通性能和開關(guān)特性。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.5mΩ @ VGS=2.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **功耗 (Ptot)**: 130W
- **結(jié)溫 (Tj)**: 175°C
- **技術(shù)**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電池管理系統(tǒng)**: IRFR3717TRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)應(yīng)用。它可以用于電池保護(hù)電路、充電器開關(guān)以及負(fù)載開關(guān),幫助提升電池充放電的效率和安全性。
2. **高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,MOSFET 的低 RDS(ON) 使得功率損耗極小,從而提升轉(zhuǎn)換效率。該 MOSFET 適用于高電流轉(zhuǎn)換器,如服務(wù)器電源、通信設(shè)備電源和其他要求高效率的電源模塊。
3. **高功率開關(guān)應(yīng)用**: IRFR3717TRPBF-VB 的高電流處理能力使其在高功率開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。它適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、功率調(diào)節(jié)電路以及其他需要高電流處理的開關(guān)應(yīng)用,幫助提升系統(tǒng)的整體性能。
4. **汽車電子系統(tǒng)**: 在汽車電子系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于電動(dòng)汽車的電源管理、電池監(jiān)測(cè)和功率分配系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力能有效提高系統(tǒng)的可靠性和效率。
總的來(lái)說(shuō),IRFR3717TRPBF-VB 由于其超低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適合應(yīng)用于電池管理、高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換、高功率開關(guān)和汽車電子系統(tǒng)等要求高性能和高效率的場(chǎng)合。
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