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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR420PBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR420PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2200mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR420PBF-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,適合在高電壓和中等電流應(yīng)用中使用。其最大漏源電壓(VDS)為 650V,柵源電壓(VGS)范圍為 ±30V。IRFR420PBF-VB 采用 Plannar 技術(shù),這使得其在高電壓環(huán)境下具有良好的穩(wěn)定性和可靠性。盡管其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))較高,在 VGS=10V 時(shí)為 2200mΩ,但它依然適合用于需要高電壓承受能力的應(yīng)用。最大漏極電流(ID)為 4A,使其能夠處理中等功率的開關(guān)任務(wù)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2200mΩ @ VGS=10V
 - 2750mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **結(jié)溫 (Tj)**: 150°C
- **技術(shù)**: Plannar
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高電壓開關(guān)**: IRFR420PBF-VB 的高漏源電壓能力使其非常適合用于高電壓開關(guān)應(yīng)用。它可以用于高電壓電源管理系統(tǒng)、開關(guān)電源以及電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,以控制和開關(guān)高電壓負(fù)載。

2. **電力轉(zhuǎn)換器**: 在高電壓電力轉(zhuǎn)換器中,例如 UPS(不間斷電源)和變頻器,這款 MOSFET 的高電壓能力確保了設(shè)備在轉(zhuǎn)換過程中能穩(wěn)定可靠地工作。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但仍能處理中等功率的任務(wù)。

3. **電氣保護(hù)電路**: 由于其高電壓承受能力,IRFR420PBF-VB 適合用于電氣保護(hù)電路中,如過壓保護(hù)和短路保護(hù)電路,保護(hù)系統(tǒng)免受電氣故障的影響。

4. **工業(yè)設(shè)備**: 在一些工業(yè)應(yīng)用中,需要處理高電壓的開關(guān)或控制任務(wù),如高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)、發(fā)電機(jī)控制和大型電力系統(tǒng)。IRFR420PBF-VB 的高電壓能力和可靠性使其成為這些應(yīng)用中的理想選擇。

總結(jié)而言,IRFR420PBF-VB 由于其高漏源電壓和中等電流能力,適用于高電壓開關(guān)、電力轉(zhuǎn)換器、電氣保護(hù)電路以及工業(yè)設(shè)備等高電壓和中等功率的應(yīng)用場(chǎng)合。盡管導(dǎo)通電阻較高,但其高電壓穩(wěn)定性和可靠性使其在這些領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。

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