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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR48ZTR-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR48ZTR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRFR48ZTR-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計(jì)用于中高電流和中等電壓應(yīng)用。該MOSFET具有60V的最大漏極源極電壓(VDS),漏極電流(ID)高達(dá)58A。采用Trench技術(shù),其低導(dǎo)通電阻使其在開(kāi)關(guān)性能和導(dǎo)電能力上具有優(yōu)越的表現(xiàn),非常適合需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IRFR48ZTR-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 13mΩ @ VGS = 4.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 10mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 58A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **高電流開(kāi)關(guān)**:
  - IRFR48ZTR-VB 適用于高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用,其高達(dá)58A的漏極電流能力和10mΩ的低導(dǎo)通電阻使其在處理大電流時(shí)非常有效。這使其特別適合用于電源管理系統(tǒng)中的高電流開(kāi)關(guān)模塊,例如電源轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)控制,能夠在高電流條件下提供穩(wěn)定可靠的性能。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**:
  - 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,這款MOSFET能夠處理高電流需求的電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行。其低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗,提升電機(jī)效率,適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電機(jī)控制以及各種電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。

3. **電源供應(yīng)系統(tǒng)**:
  - IRFR48ZTR-VB 也適用于電源供應(yīng)系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)模塊。其良好的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻使其在電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠處理高電流和中等電壓的電源應(yīng)用。

4. **LED驅(qū)動(dòng)**:
  - 在LED驅(qū)動(dòng)模塊中,IRFR48ZTR-VB 能夠有效控制LED的電流,提供穩(wěn)定的亮度和延長(zhǎng)LED的使用壽命。其低導(dǎo)通電阻減少了功率損耗,使其適用于中高功率LED燈具和LED照明系統(tǒng)中的電流控制模塊。

這些應(yīng)用示例展示了IRFR48ZTR-VB 在高電流和中等電壓場(chǎng)合中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì),提供了高效的電流開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制、電源管理和LED驅(qū)動(dòng)解決方案。

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