--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IRFR48ZTR-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計(jì)用于中高電流和中等電壓應(yīng)用。該MOSFET具有60V的最大漏極源極電壓(VDS),漏極電流(ID)高達(dá)58A。采用Trench技術(shù),其低導(dǎo)通電阻使其在開(kāi)關(guān)性能和導(dǎo)電能力上具有優(yōu)越的表現(xiàn),非常適合需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場(chǎng)景。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: IRFR48ZTR-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 13mΩ @ VGS = 4.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 10mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 58A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **高電流開(kāi)關(guān)**:
- IRFR48ZTR-VB 適用于高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用,其高達(dá)58A的漏極電流能力和10mΩ的低導(dǎo)通電阻使其在處理大電流時(shí)非常有效。這使其特別適合用于電源管理系統(tǒng)中的高電流開(kāi)關(guān)模塊,例如電源轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)控制,能夠在高電流條件下提供穩(wěn)定可靠的性能。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**:
- 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,這款MOSFET能夠處理高電流需求的電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行。其低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗,提升電機(jī)效率,適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電機(jī)控制以及各種電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。
3. **電源供應(yīng)系統(tǒng)**:
- IRFR48ZTR-VB 也適用于電源供應(yīng)系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)模塊。其良好的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻使其在電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠處理高電流和中等電壓的電源應(yīng)用。
4. **LED驅(qū)動(dòng)**:
- 在LED驅(qū)動(dòng)模塊中,IRFR48ZTR-VB 能夠有效控制LED的電流,提供穩(wěn)定的亮度和延長(zhǎng)LED的使用壽命。其低導(dǎo)通電阻減少了功率損耗,使其適用于中高功率LED燈具和LED照明系統(tǒng)中的電流控制模塊。
這些應(yīng)用示例展示了IRFR48ZTR-VB 在高電流和中等電壓場(chǎng)合中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì),提供了高效的電流開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制、電源管理和LED驅(qū)動(dòng)解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛