91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IRFR6216PBF-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR6216PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID -15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR6216PBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRFR6216PBF-VB 是一款**P-Channel MOSFET**,設(shè)計用于高功率開關(guān)應(yīng)用。它采用了**Trench 技術(shù)**,提高了效率并降低了導通電阻。該器件采用**TO252**封裝,具有**-150V**的**VDS(漏極-源極電壓)**、±20V的**VGS(柵極-源極電壓)**和**-2V**的**Vth(閾值電壓)**。其**RDS(ON)**在VGS=10V時為**160mΩ**,**ID**為**-15A**,適用于需要高功率處理和快速開關(guān)的應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **配置**: 單個 P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -150V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -15A
- **技術(shù)**: Trench
- **功耗**: 由于低 RDS(ON),具有高功率處理能力
- **工作溫度**: 通常范圍為 -55°C 到 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 通常較低,確保快速開關(guān)能力

### IRFR6216PBF-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

IRFR6216PBF-VB MOSFET 適用于多種功率相關(guān)應(yīng)用:

1. **電源電路**: 該器件可用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器或開關(guān)電源(SMPS),由于其高電壓和電流開關(guān)能力,能夠高效地處理功率。

2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**: 其高漏極電流能力和低 RDS(ON) 使其適合用于電池保護電路,特別是在電動車輛或能源存儲系統(tǒng)的大型電池組中。

3. **電機控制模塊**: MOSFET 的快速開關(guān)和高效能量利用使其成為控制小型直流電機的理想選擇,如在工業(yè)自動化或消費電子產(chǎn)品中應(yīng)用。

4. **汽車電子**: 由于其高電壓和溫度范圍,這款 MOSFET 可用于汽車電源管理模塊,尤其是用于反向極性保護或高電壓開關(guān)。

5. **通信設(shè)備**: 其有效管理高電壓功率的能力使其適合用于通信系統(tǒng)中,特別是在功率分配和保護電路中。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    502瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    422瀏覽量