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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR7807ZTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR7807ZTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR7807ZTRPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR7807ZTRPBF-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝。該器件采用 Trench(溝槽)技術(shù),提供了優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。其額定漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)可承受 ±20V,具有 1.7V 的閾值電壓(Vth)。MOSFET 的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 9mΩ(VGS=4.5V)和 7mΩ(VGS=10V),以及高達(dá) 70A 的漏極電流(ID),使其適用于高電流和高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用場(chǎng)合。此器件非常適合用于電源管理、功率開(kāi)關(guān)和電機(jī)控制等高性能需求的領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)?N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:9mΩ @ VGS=4.5V;7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **開(kāi)關(guān)速度**:高速

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
1. **電源管理系統(tǒng)**:IRFR7807ZTRPBF-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,非常適合在電源管理系統(tǒng)中作為開(kāi)關(guān)元件。它可用于直流-直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源中,提高能效并減少功耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該 MOSFET 的高電流能力和低 RDS(ON) 能有效地控制電機(jī)的功率開(kāi)關(guān),提供平穩(wěn)的電機(jī)運(yùn)行和響應(yīng)。

3. **功率開(kāi)關(guān)**:IRFR7807ZTRPBF-VB 在需要高電流開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景下表現(xiàn)出色,例如電池管理系統(tǒng)和大功率負(fù)載控制。其快速開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于這些應(yīng)用中。

4. **汽車(chē)電子**:由于其高溫穩(wěn)定性和優(yōu)異的電流處理能力,這款 MOSFET 也可以用于汽車(chē)電子系統(tǒng)中,比如電動(dòng)窗、門(mén)鎖和電動(dòng)座椅控制等應(yīng)用。

5. **LED 驅(qū)動(dòng)**:在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中,IRFR7807ZTRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗和熱量,提高 LED 的效率和使用壽命。

通過(guò)其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用適用性,IRFR7807ZTRPBF-VB 能夠?yàn)楦鞣N高性能電子設(shè)備提供可靠的解決方案。

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