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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR8713TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR8713TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR8713TRPBF-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR8713TRPBF-VB 是一款高性能N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。它具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS=4.5V下為3mΩ,在VGS=10V下為2mΩ。該器件的最大漏源電壓(VDS)為30V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,最大漏極電流(ID)為100A,封裝在TO252(DPAK)中。IRFR8713TRPBF-VB 適用于高電流、高頻率和高效率的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。

### 二、IRFR8713TRPBF-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO252(DPAK)
- **極性**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:100A
- **功耗 (Pd)**:60W
- **最大結(jié)溫 (Tj)**:+175°C
- **工作模式**:增強(qiáng)模式
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高效電源轉(zhuǎn)換**:在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中,IRFR8713TRPBF-VB能夠作為主要開(kāi)關(guān)元件,高效地轉(zhuǎn)換電壓和管理功率。其低RDS(ON)特性可以減少功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,適用于高頻開(kāi)關(guān)和大電流應(yīng)用。

2. **電動(dòng)汽車(EV)電池管理系統(tǒng)**:該MOSFET在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)中提供高效的電流控制和保護(hù),能夠承受高達(dá)100A的電流,并在30V的電壓下穩(wěn)定工作。它的低導(dǎo)通電阻使得系統(tǒng)更加節(jié)能和可靠。

3. **高功率LED驅(qū)動(dòng)**:在高功率LED照明系統(tǒng)中,IRFR8713TRPBF-VB可以用作LED驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件,提供穩(wěn)定的電流控制。其優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻有助于提高LED的整體效率和亮度。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:該MOSFET在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻可以有效提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度和能效。

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