91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IRFR8721TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR8721TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR8721TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRFR8721TRPBF-VB 是一款**N-Channel MOSFET**,設(shè)計(jì)用于高功率開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。它采用了**Trench 技術(shù)**,具有卓越的開關(guān)性能和效率。該器件封裝為**TO252**,支持**30V**的**VDS(漏極-源極電壓)**和**±20V**的**VGS(柵極-源極電壓)**。其**Vth(閾值電壓)**為**1.7V**,在VGS=4.5V時(shí)**RDS(ON)**為**6mΩ**,在VGS=10V時(shí)為**5mΩ**,漏極電流**ID**高達(dá)**80A**。這些特性使得該 MOSFET 非常適合需要高電流和低電阻的應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **配置**: 單個(gè) N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench
- **功耗**: 由于低 RDS(ON),具有高功率處理能力
- **工作溫度**: 通常范圍為 -55°C 到 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 較低,確保快速開關(guān)能力

### IRFR8721TRPBF-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

IRFR8721TRPBF-VB MOSFET 適用于多個(gè)高功率和低阻抗的應(yīng)用領(lǐng)域:

1. **電源管理系統(tǒng)**: 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器或開關(guān)電源(SMPS)中,這款 MOSFET 能有效地處理高電流和高功率,降低功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**: 由于其高漏極電流能力和低導(dǎo)通電阻,它非常適合用于電池保護(hù)電路,尤其是在電動(dòng)車輛或高性能能源存儲(chǔ)系統(tǒng)中,確保電池組的安全和效率。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**: 其低 RDS(ON) 和高電流能力使其適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制模塊,如在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人技術(shù)或家用電器中,提高電機(jī)控制的精度和效率。

4. **汽車電子**: 在汽車電源管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用于高電流負(fù)載的開關(guān),如電動(dòng)窗、電動(dòng)座椅或其他電動(dòng)設(shè)備,提供穩(wěn)定的性能和可靠的保護(hù)。

5. **通信設(shè)備**: 由于其優(yōu)良的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,適合用于通信設(shè)備中的電源分配和保護(hù)電路,確保設(shè)備在高負(fù)荷下的穩(wěn)定運(yùn)行。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    501瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    421瀏覽量