--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IRFR9014N-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR9014N-VB 是一款高性能P溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻。它的最大漏源電壓(VDS)為-60V,柵源電壓(VGS)為±20V,最大漏極電流(ID)為-30A。IRFR9014N-VB 在VGS=4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻為72mΩ,在VGS=10V時(shí)為61mΩ。這款MOSFET封裝在TO252(DPAK)中,適用于高電壓和高電流的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
### 二、IRFR9014N-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO252(DPAK)
- **極性**:?jiǎn)蜳溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:-60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS=4.5V
- 61mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:-30A
- **功耗 (Pd)**:45W
- **最大結(jié)溫 (Tj)**:+175°C
- **工作模式**:增強(qiáng)模式
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理**:IRFR9014N-VB 可以作為電源管理系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān),特別是在需要高電流和高電壓控制的場(chǎng)合。它的低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率,適用于開(kāi)關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)。
2. **電動(dòng)汽車(EV)**:在電動(dòng)汽車的電池保護(hù)電路中,該MOSFET 能夠提供穩(wěn)定的反向電流保護(hù)和電流控制。其高電流承載能力和低RDS(ON)特性確保了電池系統(tǒng)的安全和高效運(yùn)行。
3. **工業(yè)設(shè)備**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,IRFR9014N-VB 可用于高電流開(kāi)關(guān)和負(fù)載控制。它能夠處理高達(dá)30A的電流,并在高達(dá)-60V的電壓下穩(wěn)定工作,適合用于電機(jī)控制和高功率負(fù)載切換。
4. **家用電器**:該MOSFET 在家用電器中的應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。例如,在家用電器的電源管理中,IRFR9014N-VB 可作為高效的開(kāi)關(guān)元件,提高電器的性能和可靠性。
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