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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR9022TRPBF-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR9022TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介:**

IRFR9022TRPBF-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設(shè)計用于高效功率管理和開關(guān)應(yīng)用。它具有-60V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)額定值,確保適用于多種電源管理系統(tǒng)。該器件的開啟電壓(Vth)為 -1.7V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 低至 72mΩ@VGS=4.5V 和 61mΩ@VGS=10V,具備高效的開關(guān)性能。憑借其先進的溝槽(Trench)技術(shù),該器件能夠在高電流應(yīng)用中提供出色的效率,適用于要求高可靠性和低功耗的電路設(shè)計。

---

**詳細參數(shù)說明:**

- **封裝類型**: TO252  
- **通道配置**: 單 P 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **開啟電壓 (Vth)**: -1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 72mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 61mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**: -30A  
- **技術(shù)類型**: 溝槽 (Trench)  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C  
- **功率耗散 (Ptot)**: 70W  
- **熱阻 (RθJC)**: 2.0°C/W

---

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:**

1. **電源管理系統(tǒng)(Power Management Systems)**:  
  IRFR9022TRPBF-VB 在高效電源管理中有廣泛應(yīng)用,尤其是電池驅(qū)動的便攜設(shè)備、智能電源適配器和高性能開關(guān)模式電源(SMPS)。其低導(dǎo)通電阻使其在切換過程中能有效減少能量損失,提升整體系統(tǒng)效率。

2. **太陽能逆變器與能量存儲系統(tǒng)**:  
  該 MOSFET 在太陽能逆變器和能量存儲系統(tǒng)中可用作直流到直流轉(zhuǎn)換和功率調(diào)節(jié)。其高電流處理能力和低功耗特性確保太陽能系統(tǒng)在長時間運行中的穩(wěn)定性和高效轉(zhuǎn)換率。

3. **電動汽車及其電池管理系統(tǒng)(Battery Management Systems)**:  
  在電動汽車和混合動力系統(tǒng)中,IRFR9022TRPBF-VB 可用于電池管理和驅(qū)動電機控制。其-60V 的漏源電壓使其能夠處理嚴苛環(huán)境中的電壓波動,確保系統(tǒng)可靠性和電池壽命的延長。

4. **工業(yè)控制與自動化**:  
  這款 MOSFET 適合用于工業(yè)控制系統(tǒng)中,尤其是需要高效電流管理和高功率輸出的模塊,如電機驅(qū)動和高效功率轉(zhuǎn)換設(shè)備。

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