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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR9120TRPBF-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR9120TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 250mΩ@VGS=10V
  • ID -8.8A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR9120TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRFR9120TRPBF-VB 是一款**P-Channel MOSFET**,設(shè)計用于中高壓的開關(guān)應(yīng)用,采用了**Trench 技術(shù)**,提供優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高效的電流處理能力。它采用**TO252**封裝,具備**-100V**的**VDS(漏極-源極電壓)**,**±20V**的**VGS(柵極-源極電壓)**,以及**-2V**的**Vth(閾值電壓)**。該 MOSFET 的**RDS(ON)**在VGS=4.5V時為**280mΩ**,在VGS=10V時為**250mΩ**,最大漏極電流**ID**為**-8.8A**。這種特性使得 IRFR9120TRPBF-VB 非常適合中高壓的負載開關(guān)和保護電路。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **配置**: 單個 P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 280mΩ @ VGS=4.5V
 - 250mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -8.8A
- **技術(shù)**: Trench
- **功耗**: 由于 RDS(ON) 較低,具備中等的功率處理能力
- **工作溫度**: -55°C 至 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 低柵極電荷,適用于快速開關(guān)應(yīng)用

### IRFR9120TRPBF-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

IRFR9120TRPBF-VB MOSFET 可廣泛應(yīng)用于多種需要中高電壓開關(guān)的領(lǐng)域:

1. **電源管理系統(tǒng)**: 該 MOSFET 常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)電路中,適用于需要中高電壓處理的電路,例如工業(yè)電源或高壓電源模塊。其低導(dǎo)通電阻確保了電路的高效運行。

2. **電池保護電路**: 適合用于高壓電池組的保護系統(tǒng),尤其是在電動工具或混合動力車輛中,其高耐壓特性能夠有效保護電池免受反向電流或高壓的損害。

3. **汽車電子應(yīng)用**: IRFR9120TRPBF-VB 適合在汽車電子系統(tǒng)中擔(dān)任高電壓負載開關(guān),如電動座椅、電動窗戶等,它能提供可靠的高壓切換能力,同時減少功耗和熱量。

4. **工業(yè)控制**: 該 MOSFET 能用于工業(yè)控制中的電機驅(qū)動和自動化設(shè)備,適合處理中高電壓的開關(guān)操作,確保設(shè)備在高電流環(huán)境下的穩(wěn)定性。

5. **通信設(shè)備和保護電路**: 在需要中高壓保護的通信設(shè)備中,該 MOSFET 可用于電源保護模塊,防止設(shè)備受到過電壓或電流的損害,確保通信系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

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