--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -200V
- VGS 20(±V)
- Vth -2.5V
- RDS(ON) 1160mΩ@VGS=10V
- ID -3.6A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介:**
IRFR9222TRPBF-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設(shè)計用于高電壓和中等功率的應(yīng)用。其具有高達(dá) -200V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)額定值,適合在高壓環(huán)境下使用。該 MOSFET 的開啟電壓(Vth)為 -2.5V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1392mΩ@VGS=4.5V 和 1160mΩ@VGS=10V,具備良好的開關(guān)性能。采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),這款 MOSFET 提供了穩(wěn)定的性能和可靠的電流控制,適合在要求高電壓和中等電流的應(yīng)用場合中使用。
---
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **封裝類型**: TO252
- **通道配置**: 單 P 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 1392mΩ @ VGS = 4.5V
- 1160mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -3.6A
- **技術(shù)類型**: 溝槽 (Trench)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C
- **功率耗散 (Ptot)**: 50W
- **熱阻 (RθJC)**: 3.0°C/W
---
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:**
1. **高壓電源管理**:
IRFR9222TRPBF-VB 在高壓電源管理系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用,尤其是在需要處理高達(dá) -200V 的電壓應(yīng)用中。其較高的漏源電壓和穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻使其適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換器和電壓穩(wěn)壓器,確保電源系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
2. **工業(yè)高壓控制**:
在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于高壓電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)。其高電壓承受能力和較高的功率處理能力使其能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定運行,適用于需要高電壓和中等電流控制的工業(yè)設(shè)備。
3. **電池保護(hù)電路**:
在需要高電壓保護(hù)的電池管理系統(tǒng)中,IRFR9222TRPBF-VB 能夠有效保護(hù)電池免受過電壓和過流的影響。其高漏源電壓和可靠的開關(guān)性能幫助提升電池系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
4. **高功率開關(guān)應(yīng)用**:
該 MOSFET 還適用于高功率開關(guān)應(yīng)用,如高功率逆變器和大功率負(fù)載開關(guān)。其高電壓額定值和中等電流能力使其能夠滿足對功率和電壓的高要求,確保設(shè)備的高效能和可靠性。
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