91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IRFR9N20DTRL-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR9N20DTRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR9N20DTRL-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR9N20DTRL-VB 是一款N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù),專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有最大漏源電壓(VDS)為200V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,最大漏極電流(ID)為10A。該MOSFET在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為245mΩ。封裝形式為T(mén)O252(DPAK),適用于需要高電壓和中等電流的開(kāi)關(guān)和控制應(yīng)用。

### 二、IRFR9N20DTRL-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO252(DPAK)
- **極性**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:200V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:245mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:10A
- **功耗 (Pd)**:55W
- **最大結(jié)溫 (Tj)**:+175°C
- **工作模式**:增強(qiáng)模式
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:IRFR9N20DTRL-VB 在高電壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。其200V的漏源電壓使其適合于AC-DC轉(zhuǎn)換器和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中,處理高電壓輸入和輸出時(shí)的開(kāi)關(guān)操作。

2. **電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車(chē)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該MOSFET可用于高電壓電流的開(kāi)關(guān)控制,如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。它的高耐壓特性能夠滿足電動(dòng)汽車(chē)對(duì)高電壓的需求,同時(shí)提供穩(wěn)定的電流控制。

3. **工業(yè)電機(jī)控制**:IRFR9N20DTRL-VB 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的電機(jī)控制模塊中用于高電壓電機(jī)開(kāi)關(guān)和控制。它的高電壓承受能力和可靠的開(kāi)關(guān)性能確保了電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和有效控制。

4. **LED照明**:該MOSFET也適用于高電壓LED驅(qū)動(dòng)電路中,可以在高電壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)控制,確保LED的高效運(yùn)行和長(zhǎng)壽命。它的低導(dǎo)通電阻幫助減少功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    502瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    422瀏覽量