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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR9N20DTR-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR9N20DTR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR9N20DTR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRFR9N20DTR-VB 是一款**N-Channel MOSFET**,設(shè)計(jì)用于高電壓和中等電流的開關(guān)應(yīng)用。它采用了**Trench 技術(shù)**,具備高效率和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn)。該器件封裝為**TO252**,支持**200V**的**VDS(漏極-源極電壓)**和**±20V**的**VGS(柵極-源極電壓)**,**Vth(閾值電壓)**為**3V**。在VGS=10V時(shí),其**RDS(ON)**為**245mΩ**,漏極電流**ID**高達(dá)**10A**。這些特性使得 IRFR9N20DTR-VB 適用于需要高電壓開關(guān)的場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **配置**: 單個(gè) N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 245mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Trench
- **功耗**: 由于中等 RDS(ON),適合處理較高電壓下的功率
- **工作溫度**: 通常范圍為 -55°C 到 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 適中,支持快速開關(guān)操作

### IRFR9N20DTR-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

IRFR9N20DTR-VB MOSFET 適用于多種高電壓和中電流的應(yīng)用領(lǐng)域:

1. **電源開關(guān)**: 在高電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源(SMPS)中,這款 MOSFET 能處理高達(dá) 200V 的電壓,適合需要高電壓轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定性的電源模塊。

2. **電池管理系統(tǒng)**: 該 MOSFET 可用于電池保護(hù)電路,尤其是在高電壓電池組的保護(hù)中,如電動(dòng)汽車或大規(guī)模儲(chǔ)能系統(tǒng),確保電池在高電壓下的安全和可靠性。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**: 在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,IRFR9N20DTR-VB 適合用于高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制模塊,其高耐壓特性能有效控制大功率負(fù)載。

4. **汽車電子**: 在汽車電源管理系統(tǒng)中,例如電動(dòng)座椅、燈光控制等應(yīng)用,能夠處理高電壓負(fù)載,并保證穩(wěn)定的開關(guān)性能和可靠性。

5. **通信設(shè)備**: 該 MOSFET 也可用于通信設(shè)備中的電源管理和保護(hù)電路,防止高電壓對設(shè)備造成損害,確保設(shè)備的長期穩(wěn)定運(yùn)行。

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