--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IRLR110PBF-VB** 是一款高效能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為100V,柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為±20V,閾值電壓(Vth)為1.8V。在10V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,其導(dǎo)通電阻為114mΩ,支持最大15A的漏極電流。IRLR110PBF-VB 采用Trench技術(shù),具有良好的開關(guān)性能和較低的導(dǎo)通電阻,適用于要求較高電壓和中等電流的應(yīng)用場(chǎng)合。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **器件型號(hào)**: IRLR110PBF-VB
- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench
- **最大功耗**: 2.5W(取決于散熱條件)
- **最大結(jié)溫 (Tj)**: 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 55nC
- **開關(guān)延遲時(shí)間**:
- 上升時(shí)間 (tr): 70ns
- 下降時(shí)間 (tf): 50ns
### 三、適用領(lǐng)域和模塊
**IRLR110PBF-VB** 因其高電壓耐受性和較低的導(dǎo)通電阻,廣泛應(yīng)用于多種需要中等電流和高電壓的電子設(shè)備和電源管理系統(tǒng)中:
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:在開關(guān)模式電源中,IRLR110PBF-VB 能夠處理較高的電壓并有效地進(jìn)行開關(guān)操作。其較低的導(dǎo)通電阻有助于提高電源效率并減少功耗,適用于各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如AC-DC適配器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,IRLR110PBF-VB 可以用于控制電機(jī)的開關(guān)操作,特別是在需要中等電流和高電壓的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中。它適用于各種小型電動(dòng)工具、電動(dòng)車和家用電器中的電機(jī)控制。
3. **功率放大器**:由于其能夠處理高電壓,IRLR110PBF-VB 可以用于功率放大器電路中。它可以作為開關(guān)元件,幫助控制功率輸出并優(yōu)化放大器的性能。
4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,如電源管理和負(fù)載開關(guān),IRLR110PBF-VB 能夠處理高電壓,并具備良好的耐用性和可靠性。它適用于汽車照明系統(tǒng)、車載電池管理和電動(dòng)門窗控制等應(yīng)用。
5. **通信設(shè)備**:在通信設(shè)備中,IRLR110PBF-VB 的高電壓耐受性和開關(guān)性能使其適合用于電源管理和負(fù)載開關(guān)。它能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,確保通信設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。
總之,IRLR110PBF-VB 的高電壓能力和適中的導(dǎo)通電阻使其在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率放大器、汽車電子和通信設(shè)備等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。它能夠滿足各種高電壓和中等電流的應(yīng)用需求,為這些領(lǐng)域的電子設(shè)計(jì)提供可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛