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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR230ATF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR230ATF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**IRLR230ATF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:**

IRLR230ATF-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道 MOSFET,采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)設(shè)計。這款 MOSFET 具有 200V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵極-源極電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 3V。其導(dǎo)通電阻為 245mΩ(在 VGS = 10V),并且能夠承載最大 10A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。IRLR230ATF-VB 的高耐壓和中等導(dǎo)通電阻使其特別適合于需要高電壓和適中電流的應(yīng)用場景。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **型號:** IRLR230ATF-VB
- **封裝類型:** TO252
- **通道配置:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 200V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 245mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 10A
- **技術(shù):** Trench

**應(yīng)用領(lǐng)域及實(shí)例:**

1. **高電壓電源開關(guān):**
  IRLR230ATF-VB 的 200V 耐壓使其在高電壓電源開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如,在電源管理系統(tǒng)中的高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器或高電壓負(fù)載的開關(guān)控制中,該 MOSFET 能夠有效地開關(guān)高電壓電源,同時保持較低的功率損耗。

2. **工業(yè)設(shè)備:**
  在工業(yè)控制和自動化系統(tǒng)中,IRLR230ATF-VB 適用于需要高電壓和中等電流的開關(guān)應(yīng)用。例如,它可以用于驅(qū)動工業(yè)電動機(jī)、繼電器或其他高電壓負(fù)載的控制。其高耐壓和可靠的電流處理能力使其適合在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中使用。

3. **電池管理系統(tǒng):**
  在電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于高電壓電池的開關(guān)控制。由于其 200V 的耐壓能力,IRLR230ATF-VB 能夠處理高電壓電池的電流,同時提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和保護(hù)電池免受過載的影響。

4. **汽車電子:**
  在汽車電子系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于控制高電壓電氣設(shè)備,如電動座椅和高功率照明系統(tǒng)。它能夠處理汽車電氣系統(tǒng)中的高電壓要求,同時提供可靠的開關(guān)功能,確保設(shè)備的正常運(yùn)行。

IRLR230ATF-VB MOSFET 的高耐壓和適中的導(dǎo)通電阻使其在高電壓電源開關(guān)、工業(yè)設(shè)備、電池管理和汽車電子等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,為這些應(yīng)用提供了可靠的高電壓開關(guān)解決方案。

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