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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR3105TR-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR3105TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 25mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR3105TR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
IRLR3105TR-VB 是一款高效的單N溝道功率MOSFET,封裝為TO252。這款MOSFET 設(shè)計用于處理中等電壓和電流應用,其漏源極電壓(VDS)為60V,最大漏極電流為45A。其柵源極電壓(VGS)額定為±20V。IRLR3105TR-VB 使用Trench(溝槽)技術(shù),提供了低導通電阻(RDS(ON)),在VGS為4.5V時為30mΩ,VGS為10V時為25mΩ。該MOSFET 適用于需要高效率和穩(wěn)定性的各種電子設(shè)備和電路設(shè)計。

### IRLR3105TR-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明
- **器件類型**:N溝道MOSFET
- **封裝**:TO252
- **配置**:單通道
- **漏源極電壓 (VDS)**:60V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 30mΩ @ VGS = 4.5V
 - 25mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:45A
- **技術(shù)**:Trench溝槽技術(shù)
- **功耗**:適中的功耗,適合中等電壓應用
- **熱阻**:優(yōu)化的封裝設(shè)計有助于有效的熱管理,確保器件的穩(wěn)定性和可靠性

### 應用領(lǐng)域和模塊
1. **電源開關(guān)**:IRLR3105TR-VB 的中等漏源極電壓和低導通電阻使其非常適合用于電源開關(guān)應用,例如開關(guān)電源和電源管理模塊。其高電流處理能力可以確保電源開關(guān)的高效和可靠性。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET 可以有效地控制電流,減少功耗,并提供穩(wěn)定的電流輸出。低導通電阻有助于提高轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)整體性能。

3. **電機驅(qū)動**:IRLR3105TR-VB 適合用于電機驅(qū)動應用,如電動工具和家用電器中的電機控制。其高電流處理能力可以支持電機的穩(wěn)定運行,確保設(shè)備的可靠性。

4. **LED照明**:在LED照明系統(tǒng)中,IRLR3105TR-VB 可作為開關(guān)元件來控制LED的電流。其低導通電阻和高電流能力有助于提高LED照明系統(tǒng)的效率和亮度。

5. **汽車電子**:該MOSFET 也適用于汽車電子設(shè)備中的電源開關(guān)和電流控制。例如,在車載電源管理系統(tǒng)中,可以使用IRLR3105TR-VB 實現(xiàn)高效的電流控制和開關(guān)功能。

IRLR3105TR-VB 的高性能和可靠性使其在這些領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,是處理中等電壓和電流負載的理想選擇。

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