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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR3303TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR3303TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IRLR3303TRPBF-VB MOSFET 產品簡介

IRLR3303TRPBF-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。它專為處理中等電壓和高電流應用設計,提供了優(yōu)異的開關性能和低導通損耗。該MOSFET 支持最高30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),具有1.7V的柵閾值電壓(Vth)。IRLR3303TRPBF-VB 的導通電阻為9mΩ(在VGS=4.5V時)和7mΩ(在VGS=10V時),能夠處理高達70A的漏極電流。采用Trench(溝槽)技術,這款MOSFET 能夠提供低導通損耗和高效的開關性能,適用于各種需要高電流和中等電壓的應用場合。

### IRLR3303TRPBF-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 70A  
- **技術類型**: Trench(溝槽)技術  
- **最大功率耗散 (PD)**: 2.5W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  
- **封裝引腳**: 三引腳(Drain, Gate, Source)

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源管理**
  - 在電源管理系統(tǒng)中,IRLR3303TRPBF-VB 是一種理想的開關元件,特別適用于高電流應用。它可以用作開關電源、開關適配器和電池管理系統(tǒng)中的開關元件。由于其低導通電阻和高電流承載能力,它可以有效提高電源效率和穩(wěn)定性,減少功耗和熱量。

2. **負載開關**
  - 在負載開關應用中,IRLR3303TRPBF-VB 可以控制高電流負載的開關,如在家用電器、工業(yè)設備和汽車電子系統(tǒng)中。其高電流處理能力和低導通電阻使其能夠高效地開關負載,提高設備的運行可靠性和效率。

3. **電機驅動**
  - IRLR3303TRPBF-VB 適用于電機驅動系統(tǒng),作為電機控制中的開關元件。它能夠在電動工具、電動汽車以及家用電器的電機驅動中提供高效的控制和調速,憑借其高電流處理能力和低導通電阻,實現(xiàn)高效的電機控制。

4. **DC-DC轉換器**
  - 在DC-DC轉換器中,IRLR3303TRPBF-VB 能夠高效地進行電壓轉換。作為開關元件,它可以應用于電壓調節(jié)模塊和電源管理系統(tǒng)中。其低導通電阻和高電流承載能力確保了電源轉換的穩(wěn)定性和高效性。

IRLR3303TRPBF-VB 是一款具有優(yōu)異性能的N溝道MOSFET,適用于電源管理、負載開關、電機驅動和DC-DC轉換器等多個領域,為電子設備提供高效、可靠的開關控制。

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