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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR3411TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR3411TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

**IRLR3411TRPBF-VB** 是一款高電壓N溝道MOSFET,采用TO252封裝,適用于要求高電壓和中等電流的應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為100V,柵極驅(qū)動電壓范圍為±20V,閾值電壓(Vth)為1.8V。在10V的柵極驅(qū)動電壓下,其導(dǎo)通電阻為114mΩ,支持最大15A的漏極電流。IRLR3411TRPBF-VB 使用Trench技術(shù),旨在提供可靠的高電壓開關(guān)性能,適合在中等功率要求的應(yīng)用中使用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **器件型號**: IRLR3411TRPBF-VB
- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench
- **最大功耗**: 2.5W(取決于散熱條件)
- **最大結(jié)溫 (Tj)**: 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 65nC
- **開關(guān)延遲時間**:
 - 上升時間 (tr): 60ns
 - 下降時間 (tf): 50ns

### 三、適用領(lǐng)域和模塊

**IRLR3411TRPBF-VB** 的特性使其在多種需要高電壓的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異:

1. **電源管理**:在電源管理系統(tǒng)中,IRLR3411TRPBF-VB 的高電壓耐受性和適中的導(dǎo)通電阻使其適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)。這些特性有助于提高電源效率和可靠性,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、工業(yè)電源及各種中低功率電源系統(tǒng)中。

2. **功率開關(guān)**:由于其高電壓和中等電流能力,該MOSFET 適用于功率開關(guān)應(yīng)用,如家電電源開關(guān)、電機(jī)控制開關(guān)等。其較高的耐壓和較低的導(dǎo)通電阻可以在這些應(yīng)用中提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,并降低功耗。

3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,IRLR3411TRPBF-VB 可以用于電動窗、座椅調(diào)節(jié)器和照明系統(tǒng)等應(yīng)用。它能夠承受高電壓并提供可靠的開關(guān)控制,適合各種汽車電氣系統(tǒng)中需要穩(wěn)定、高效的電源控制。

4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)控制領(lǐng)域,該MOSFET 的高電壓能力使其適合用于工業(yè)電源管理和負(fù)載控制,如電機(jī)驅(qū)動、傳感器供電等應(yīng)用。其較高的耐壓和可靠的開關(guān)性能能夠滿足工業(yè)設(shè)備對電源穩(wěn)定性的要求。

5. **LED驅(qū)動**:在LED驅(qū)動電路中,IRLR3411TRPBF-VB 可用于高電壓的LED開關(guān)控制。其低導(dǎo)通電阻和高電壓耐受性使其能夠高效控制LED的開關(guān),確保穩(wěn)定的亮度輸出和系統(tǒng)的長壽命。

總之,IRLR3411TRPBF-VB 以其高電壓耐受性和適中的導(dǎo)通電阻在電源管理、功率開關(guān)、汽車電子、工業(yè)控制和LED驅(qū)動等領(lǐng)域表現(xiàn)出色。其設(shè)計(jì)滿足了這些應(yīng)用對高電壓和可靠性的需求,為電子系統(tǒng)提供了高效、穩(wěn)定的解決方案。

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