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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR7833CTRLPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR7833CTRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**IRLR7833CTRLPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:**

IRLR7833CTRLPBF-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,并利用先進的 Trench 技術制造。該 MOSFET 具有 30V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵極-源極電壓 (VGS)。其閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,使其在低柵極驅(qū)動電壓下仍能有效工作。IRLR7833CTRLPBF-VB 的導通電阻在 VGS = 10V 時為 2mΩ,在 VGS = 4.5V 時為 3mΩ,能夠承載高達 120A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。其低導通電阻和高電流處理能力使其適用于需要高效能和高功率處理的應用場合。

**詳細參數(shù)說明:**
- **型號:** IRLR7833CTRLPBF-VB
- **封裝類型:** TO252
- **通道配置:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 2mΩ @ VGS = 10V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 3mΩ @ VGS = 4.5V
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 120A
- **技術:** Trench

**應用領域及實例:**

1. **高效電源管理:**
  IRLR7833CTRLPBF-VB 適用于高效電源管理系統(tǒng),如 DC-DC 轉換器。在這些應用中,MOSFET 的低導通電阻能夠顯著降低開關損耗,提高系統(tǒng)的能效。此外,由于其高電流處理能力,它能夠在高負載條件下穩(wěn)定工作。

2. **電動汽車驅(qū)動:**
  在電動汽車的電機驅(qū)動系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用作高電流開關。由于其低導通電阻和高電流承載能力,它能夠有效地控制電機的啟動和運行,同時減少功率損耗,提高電動汽車的總體效率。

3. **工業(yè)自動化:**
  在工業(yè)自動化設備中,例如工業(yè)機器人和高功率電機控制系統(tǒng)中,IRLR7833CTRLPBF-VB MOSFET 能夠用于高電流的開關控制。其低導通電阻使得電流通過時的熱量生成最小化,從而提高系統(tǒng)的可靠性和壽命。

4. **消費電子:**
  在高功率消費電子設備中,如快速充電器和電源適配器中,該 MOSFET 可作為開關組件。其超低導通電阻能夠提高電源轉換效率,減少電源適配器的能耗,并延長使用壽命。

IRLR7833CTRLPBF-VB MOSFET 的優(yōu)異性能使其在電源管理、電動汽車驅(qū)動、工業(yè)自動化和消費電子設備中表現(xiàn)突出,為這些領域提供了高效、可靠的開關解決方案。

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