--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IRLR8113TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
IRLR8113TRPBF-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為處理低電壓和高電流應用設計。它具有最大漏源電壓(VDS)30V,柵源電壓(VGS)可達到±20V,柵閾值電壓(Vth)為1.7V。該MOSFET 的導通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為3mΩ,在VGS=10V時為2mΩ。憑借其高達100A的漏極電流承載能力和Trench技術,IRLR8113TRPBF-VB 適用于需要高電流和低功耗的應用場景,能夠在高電流負載下有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
### IRLR8113TRPBF-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術類型**: Trench(溝槽)技術
- **最大功率耗散 (PD)**: 3W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **封裝引腳**: 三引腳(Drain, Gate, Source)
### 應用領域和模塊舉例
1. **高電流電源開關**
- IRLR8113TRPBF-VB 適用于高電流電源開關應用,特別是在DC-DC轉換器和電源管理系統(tǒng)中。由于其極低的導通電阻,這款MOSFET 能夠顯著減少功率損耗,確保電源轉換效率并提供穩(wěn)定的電源輸出。
2. **電機驅動系統(tǒng)**
- 在電機驅動系統(tǒng)中,IRLR8113TRPBF-VB 的高電流承載能力和低導通電阻使其成為理想的開關元件。它能夠高效控制電機驅動電流,適用于電動工具、電動汽車驅動系統(tǒng)等需要大電流控制的應用。
3. **負載開關應用**
- 該MOSFET 在負載開關應用中表現(xiàn)出色,可以用作家電、工業(yè)設備等中的高電流負載開關。由于其低RDS(ON)特性,它可以高效地控制大電流負載,降低功耗并提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。
4. **電源保護**
- 在電源保護模塊中,IRLR8113TRPBF-VB 可以用于過流保護開關。它能夠快速響應電流變化,提供有效的保護功能,防止電路因過流而受損,確保系統(tǒng)安全運行。
IRLR8113TRPBF-VB 是一款適用于高電流低電壓應用的高性能N溝道MOSFET,憑借其優(yōu)異的開關性能和低功耗特點,在電源開關、電機驅動、負載開關和電源保護等多個領域中具有廣泛的應用潛力。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12