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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR8711CTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR8711CTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR8711CTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR8711CTRPBF-VB 是一款高效能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252 封裝,適用于中低電壓、大電流的應(yīng)用場景。其最大漏源電壓 (VDS) 為 30V,柵極驅(qū)動電壓 (VGS) 可達到 ±20V,開啟閾值電壓 (Vth) 為 1.7V。這款 MOSFET 具備超低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),分別為 3mΩ @ VGS=4.5V 和 2mΩ @ VGS=10V,能夠支持高達 100A 的漏極電流。IRLR8711CTRPBF-VB 采用先進的 Trench 技術(shù),提供了出色的開關(guān)性能和熱性能,適合高頻開關(guān)和高效電能管理應(yīng)用。

### IRLR8711CTRPBF-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-252
- **溝道配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)
- **最大功耗**: 額定功耗取決于散熱條件,一般應(yīng)用場景中,具有較高的熱效率
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電池管理系統(tǒng)**  
  在電動汽車、可再生能源存儲等需要高效電池管理的系統(tǒng)中,IRLR8711CTRPBF-VB 的高電流能力與低導(dǎo)通電阻幫助優(yōu)化電池的充放電效率,并提供穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換和過流保護功能。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  該 MOSFET 非常適合用于高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計,如在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、工業(yè)電源和汽車電源中,因其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力可顯著降低功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。

3. **電機控制**  
  IRLR8711CTRPBF-VB 的高電流處理能力非常適合用于電動工具、電動汽車等應(yīng)用中的電機控制模塊,確保高效的功率轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動性能,同時保持低發(fā)熱量。

4. **負載開關(guān)**  
  該 MOSFET 可用于高功率負載開關(guān)應(yīng)用,包括工業(yè)控制設(shè)備和通信設(shè)備中的電源管理,提供低損耗的負載切換,提升整體系統(tǒng)效率。

5. **汽車電子**  
  在汽車電子系統(tǒng)中,IRLR8711CTRPBF-VB 可用于高電流的應(yīng)用模塊,如發(fā)動機控制、電源管理模塊和車載照明系統(tǒng),確保高效能和高可靠性,滿足汽車環(huán)境下的嚴格要求。

IRLR8711CTRPBF-VB MOSFET 憑借其出色的電流處理能力、低導(dǎo)通損耗和高效率,在需要高頻開關(guān)與大功率應(yīng)用的領(lǐng)域中擁有廣泛的應(yīng)用潛力。

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