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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR8713TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR8713TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRLR8713TRPBF-VB** 是一款高效能的 N-Channel MOSFET,封裝為 TO252。它采用了 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻以及優(yōu)異的電流承載能力,專為需要高效開關(guān)和低功耗的電路設(shè)計而開發(fā)。該 MOSFET 的漏源電壓(V_DS)為 30V,柵源電壓(V_GS)為 ±20V,能夠在低柵極驅(qū)動電壓下提供出色的導(dǎo)通特性。導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))分別為 3mΩ(@V_GS=4.5V)和 2mΩ(@V_GS=10V),最大漏極電流(I_D)為 100A,非常適合高電流需求的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO252
- **配置**:單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**:30V
- **柵源電壓 (V_GS)**:±20V
- **閾值電壓 (V_th)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
 - 3mΩ @ V_GS=4.5V
 - 2mΩ @ V_GS=10V
- **最大漏極電流 (I_D)**:100A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**IRLR8713TRPBF-VB** 由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

1. **電源管理**:
  - 在電源管理應(yīng)用中,尤其是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源調(diào)節(jié)模塊中,IRLR8713TRPBF-VB 提供了高效率的電源轉(zhuǎn)換,顯著降低功耗。這使其適用于服務(wù)器電源、電池管理系統(tǒng)等高效電源模塊。

2. **汽車電子**:
  - 在汽車電子領(lǐng)域,IRLR8713TRPBF-VB 可用于高電流應(yīng)用,如電動窗、座椅調(diào)節(jié)系統(tǒng)以及電池管理模塊。這款 MOSFET 的高電流處理能力能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)控制,并且在苛刻的汽車環(huán)境下也能保持優(yōu)異的性能。

3. **功率開關(guān)應(yīng)用**:
  - 由于其強(qiáng)大的電流處理能力,IRLR8713TRPBF-VB 是高功率開關(guān)應(yīng)用的理想選擇,如電機(jī)驅(qū)動、電磁繼電器、負(fù)載切換系統(tǒng)。這些模塊需要快速的開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗,而這款 MOSFET 能夠完美滿足這些要求。

4. **消費(fèi)電子**:
  - 在對能效要求較高的消費(fèi)電子產(chǎn)品中,例如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦的電源管理模塊,IRLR8713TRPBF-VB 通過降低導(dǎo)通電阻提高了能效,減少了發(fā)熱并延長了設(shè)備的使用壽命。

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