--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IRLR8721TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRLR8721TRPBF-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計(jì)用于處理高電流低電壓的應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)最高可達(dá)±20V,柵閾值電壓(Vth)為1.7V。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時(shí)為3mΩ,在VGS=10V時(shí)為2mΩ,使其非常適合高效的電流控制。該MOSFET能夠承受高達(dá)100A的漏極電流,采用先進(jìn)的Trench(溝槽)技術(shù),確保在高負(fù)載條件下具有出色的導(dǎo)通性能和散熱能力,是需要低功耗和高效率的應(yīng)用的理想選擇。
### IRLR8721TRPBF-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**: TO252
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **最大功率耗散 (PD)**: 3W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **封裝引腳**: 三引腳 (Drain, Gate, Source)
- **技術(shù)類(lèi)型**: Trench (溝槽) 技術(shù)
- **靜電放電保護(hù)**: 高耐ESD
- **開(kāi)關(guān)速度**: 快速
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高效DC-DC轉(zhuǎn)換器**
- IRLR8721TRPBF-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,非常適合用于高效DC-DC電源轉(zhuǎn)換器中。這些轉(zhuǎn)換器用于各種便攜式設(shè)備、通信系統(tǒng)和嵌入式系統(tǒng)中,確保系統(tǒng)在不同負(fù)載下都能維持高效率的電源管理。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**
- 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,如無(wú)人機(jī)、電動(dòng)車(chē)的驅(qū)動(dòng)控制,IRLR8721TRPBF-VB 的高電流能力和出色的開(kāi)關(guān)特性能夠有效驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī),并保持功耗在最低水平。這款MOSFET可以用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)整,確保系統(tǒng)高效運(yùn)行。
3. **電源管理模塊**
- 這款MOSFET適用于大功率負(fù)載的電源管理模塊,如服務(wù)器電源、通信基站電源等高性能應(yīng)用中。在這些領(lǐng)域,IRLR8721TRPBF-VB 的低導(dǎo)通損耗和高開(kāi)關(guān)效率能夠有效降低系統(tǒng)熱耗散,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路**
- IRLR8721TRPBF-VB 可用于工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路中。它可以有效地在高電流負(fù)載下進(jìn)行快速切換,同時(shí)提供過(guò)電流保護(hù)功能,有助于延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命并提高整體可靠性。
IRLR8721TRPBF-VB 是一款高性能、低導(dǎo)通電阻的MOSFET,適用于多種需要高效率、高電流的應(yīng)用,特別是在電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
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