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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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ISL9N327AD3ST-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: ISL9N327AD3ST-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**ISL9N327AD3ST-VB 產(chǎn)品簡介**

ISL9N327AD3ST-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO-252封裝,具備30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。該器件利用先進(jìn)的溝槽技術(shù)(Trench),具有低導(dǎo)通電阻,分別為9mΩ(@VGS=4.5V)和7mΩ(@VGS=10V),最大漏極電流(ID)可達(dá)到70A。ISL9N327AD3ST-VB 適用于高效功率開關(guān)和電源管理領(lǐng)域,能在多種應(yīng)用中提供優(yōu)越的性能和能效。

---

**詳細(xì)參數(shù)說明**

- **封裝**: TO-252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)類型**: Trench(溝槽型技術(shù))
- **功率耗散**: 可達(dá) 60W(取決于散熱條件)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C

---

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊**

1. **電源管理**:ISL9N327AD3ST-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,適用于降壓和升壓應(yīng)用。其低RDS(ON)特性可有效降低能量損耗,提升整體能效,特別是在便攜式電子設(shè)備和工業(yè)電源中應(yīng)用廣泛。

2. **電動機(jī)控制**:該MOSFET 適合用于電動機(jī)驅(qū)動電路,能夠在高負(fù)載條件下提供穩(wěn)定的控制。它可用于家用電器、工業(yè)自動化和機(jī)器人系統(tǒng)中的電動機(jī)調(diào)速和啟??刂啤?/p>

3. **高效開關(guān)應(yīng)用**:在LED照明和充電器等應(yīng)用中,ISL9N327AD3ST-VB 可以實現(xiàn)高效的開關(guān)操作,減少功率損耗,增強(qiáng)設(shè)備的可靠性和使用壽命。

4. **消費電子**:該器件也廣泛應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品中,如智能手機(jī)和筆記本電腦的電源管理模塊,幫助提升能效并優(yōu)化電池使用,使設(shè)備更加高效和持久。

通過這些應(yīng)用,ISL9N327AD3ST-VB 為各類高效電源管理和控制方案提供了理想的解決方案。

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