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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IXTY10P15T-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IXTY10P15T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID -15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IXYT10P15T-VB 產(chǎn)品簡介

IXYT10P15T-VB 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,封裝為 TO252,專為中高壓應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓(VDS)可達 -150V,使其適合處理負電壓環(huán)境。該器件的柵極源極電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 -2V,能夠在較低的驅(qū)動電壓下工作。采用 Trench 技術(shù),提供低導通電阻(RDS(ON) = 160mΩ @ VGS=10V),有助于降低功耗和熱量生成,提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:IXYT10P15T-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單 P 通道
- **漏源電壓(VDS)**:-150V
- **柵極源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2V
- **導通電阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**:-15A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **負電源開關(guān)**:IXYT10P15T-VB 可用于負電源開關(guān)電路,適合需要高壓負載的電源管理應(yīng)用,確保穩(wěn)定的負電壓供應(yīng)。

2. **H 橋電機驅(qū)動**:在電機控制應(yīng)用中,該 P 通道 MOSFET 可作為 H 橋中的開關(guān)器件,適用于正負電流的控制,提供平穩(wěn)的電機驅(qū)動。

3. **電力轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器中,IXYT10P15T-VB 能夠有效處理負電壓輸出,適合可再生能源系統(tǒng),如太陽能逆變器。

4. **電池管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 可用于電池管理應(yīng)用,控制電池充放電過程,確保安全和高效的能量傳輸。

5. **LED 驅(qū)動電路**:在 LED 照明應(yīng)用中,IXYT10P15T-VB 可用于負電源驅(qū)動,確保 LED 模塊的高效能和可靠性。

以上是 IXYT10P15T-VB 的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明及其適用領(lǐng)域的示例。如需更多信息或具體應(yīng)用案例,請隨時告知!

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