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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IXTY26P10T-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IXTY26P10T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
  • ID -40A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:IXTY26P10T-VB

IXTY26P10T-VB是一款高性能單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET采用Trench技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,非常適合用于各種電源管理和負(fù)載控制場景。其優(yōu)越的性能使得IXTY26P10T-VB在現(xiàn)代電子設(shè)計中成為重要的組成部分,能夠有效提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號**:IXTY26P10T-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單P溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:-100V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 37mΩ(在VGS=4.5V時)
 - 33mΩ(在VGS=10V時)
- **最大漏極電流(ID)**:-40A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **電源開關(guān)**:
  IXTY26P10T-VB非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)的高側(cè)開關(guān)應(yīng)用,其低導(dǎo)通電阻使其能夠提高電源效率,降低熱量產(chǎn)生,廣泛應(yīng)用于消費電子和工業(yè)電源模塊。

2. **電動汽車**:
  在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動中,該MOSFET可以有效控制電流流動,提高系統(tǒng)的整體性能和安全性,確保電動汽車在不同工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **逆變器**:
  IXTY26P10T-VB也適用于光伏逆變器和UPS(不間斷電源)系統(tǒng),能夠提供可靠的功率轉(zhuǎn)換和管理,確保在高負(fù)載情況下的穩(wěn)定性和高效率。

4. **工業(yè)控制**:
  該MOSFET在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中被廣泛應(yīng)用于負(fù)載控制和電機(jī)驅(qū)動,能夠有效提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度和能效,滿足工業(yè)應(yīng)用對高性能組件的需求。

通過這些應(yīng)用實例,IXTY26P10T-VB展示了其在高電壓和高電流應(yīng)用場景下的廣泛適用性,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對性能和效率的嚴(yán)格要求。

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