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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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J0582-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): J0582-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2.5V
  • RDS(ON) 1160mΩ@VGS=10V
  • ID -3.6A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:J0582-VB

J0582-VB是一款高效能的單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。憑借其強(qiáng)大的性能和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性,該MOSFET適用于各種電源管理和負(fù)載控制場(chǎng)景。其Trench技術(shù)確保了低導(dǎo)通電阻和良好的熱性能,使J0582-VB在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中成為關(guān)鍵的組件,能夠有效提升系統(tǒng)的效率和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**:J0582-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜳溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:-200V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 1392mΩ(在VGS=4.5V時(shí))
 - 1160mΩ(在VGS=10V時(shí))
- **最大漏極電流(ID)**:-3.6A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **高壓電源管理**:
  J0582-VB非常適合用于高壓開(kāi)關(guān)電源(SMPS),其低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功耗,提高整體電源效率,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子和工業(yè)電源模塊。

2. **電動(dòng)汽車**:
  在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可以有效控制電流流動(dòng),提高電池充放電過(guò)程的安全性和效率,確保電動(dòng)汽車在各種工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **逆變器**:
  J0582-VB適用于光伏逆變器和其他類型的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備,能夠提供可靠的功率轉(zhuǎn)換和管理,確保在高負(fù)載下的穩(wěn)定性和高效率。

4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
  該MOSFET在工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用中被廣泛用于負(fù)載控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng),能夠提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度和能效,滿足對(duì)高性能組件的需求。

通過(guò)這些應(yīng)用示例,J0582-VB展示了其在高電壓和中等電流應(yīng)用場(chǎng)景下的廣泛適用性,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)性能和效率的嚴(yán)格要求。

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