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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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J133-Z-T1-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): J133-Z-T1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:J133-Z-T1-VB

J133-Z-T1-VB是一款高性能的單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計(jì)用于中高電壓應(yīng)用。該MOSFET采用Trench技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適合于電源管理和負(fù)載控制等多種應(yīng)用場(chǎng)景。憑借其優(yōu)越的性能,J133-Z-T1-VB在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中被廣泛應(yīng)用,能夠有效提高系統(tǒng)效率和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**:J133-Z-T1-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜳溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:-60V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 72mΩ(在VGS=4.5V時(shí))
 - 61mΩ(在VGS=10V時(shí))
- **最大漏極電流(ID)**:-30A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **電源管理**:
  J133-Z-T1-VB非常適合用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)的高側(cè)開(kāi)關(guān),其低導(dǎo)通電阻使其能夠有效提高電源效率,降低熱量產(chǎn)生,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子和工業(yè)電源模塊。

2. **電動(dòng)汽車(chē)**:
  在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于電流控制,提高電池充放電過(guò)程的安全性,確保在各種工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  J133-Z-T1-VB在工業(yè)自動(dòng)化中被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,能夠提供快速響應(yīng)和高功率輸出,適合各種電動(dòng)工具和機(jī)械設(shè)備。

4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:
  該MOSFET適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如照明控制和電源切換,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率管理,提升系統(tǒng)的整體性能。

通過(guò)這些應(yīng)用實(shí)例,J133-Z-T1-VB展示了其在中高電壓和高電流應(yīng)用場(chǎng)景下的廣泛適用性,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)性能和效率的嚴(yán)格要求。

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