**產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**
J195-VB是一款高性能的單P通道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓（VDS）高達(dá)-100V，最大漏電流（ID）為-8.8A，適合用于電源管理和開關(guān)應(yīng)用。盡管其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為250mΩ@VGS=10V）相對(duì)較高，但其可靠性和耐用性使其在高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色。
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**
- **封裝：** TO252
- **配置：** 單P通道
- **VDS：** -100V
- **VGS：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** -2V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：**
- 280mΩ（在VGS=4.5V時(shí)）
- 250mΩ（在VGS=10V時(shí)）
- **最大持續(xù)漏電流（ID）：** -8.8A
- **技術(shù)：** Trench
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例：**
J195-VB廣泛應(yīng)用于高電壓電源供應(yīng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。其高電壓處理能力使其非常適合用于電動(dòng)汽車充電器、工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能逆變器等模塊中，確保在嚴(yán)苛條件下的穩(wěn)定性和高效性。
