--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### J377-Z-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
J377-Z-VB 是一款高性能的單極性 P 型 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件能夠承受高達(dá) -60V 的漏源電壓,并具有優(yōu)良的電氣特性。其基于 Trench 技術(shù),能夠在高負(fù)載條件下提供卓越的導(dǎo)電性能。憑借較低的導(dǎo)通電阻,J377-Z-VB 不僅提高了系統(tǒng)效率,還有效降低了熱量產(chǎn)生,適合用于多種電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: J377-Z-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單極性 P 型
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 61mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: -30A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
J377-Z-VB 在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)了其優(yōu)越的適用性。首先,在電源管理方面,該 MOSFET 非常適合用于開(kāi)關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠在高電壓和高電流條件下提供穩(wěn)定的電流輸出,提升系統(tǒng)效率,并有效降低能量損耗。其次,在家用電器和工業(yè)設(shè)備中,J377-Z-VB 可作為負(fù)載開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)快速電流控制,提高設(shè)備響應(yīng)速度和靈活性。此外,該器件在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和高功率應(yīng)用中同樣表現(xiàn)出色,適合用于電動(dòng)工具、機(jī)床和電力系統(tǒng),確保在高負(fù)載和高電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行。這些特性使得 J377-Z-VB 成為設(shè)計(jì)工程師在高功率和高效率應(yīng)用中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛