**產品簡介：**
J387-VB是一款高效能的單P通道MOSFET，采用TO252封裝，專為低電壓和高電流應用設計。其漏源電壓（VDS）為-20V，最大漏電流（ID）為-40A，適合用于高頻開關和電源管理電路。該MOSFET的導通電阻表現優(yōu)秀（RDS(ON)為16mΩ@VGS=4.5V），確保在高效能下運行時降低能耗和發(fā)熱。
**詳細參數說明：**
- **封裝：** TO252
- **配置：** 單P通道
- **VDS：** -20V
- **VGS：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** -0.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）：**
- 25mΩ（在VGS=2.5V時）
- 16mΩ（在VGS=4.5V時）
- **最大持續(xù)漏電流（ID）：** -40A
- **技術：** Trench
**應用領域與模塊示例：**
J387-VB廣泛應用于開關電源、負載開關以及電機驅動電路等領域。其低導通電阻和高電流能力使其非常適合用于電池管理系統(tǒng)、LED驅動電路和消費電子設備，確保在多種應用條件下的高效性和可靠性。**產品簡介：**
J387-VB是一款高效能的單P通道MOSFET，采用TO252封裝，專為低電壓和高電流應用設計。其漏源電壓（VDS）為-20V，最大漏電流（ID）為-40A，適合用于高頻開關和電源管理電路。該MOSFET的導通電阻表現優(yōu)秀（RDS(ON)為16mΩ@VGS=4.5V），確保在高效能下運行時降低能耗和發(fā)熱。
**詳細參數說明：**
- **封裝：** TO252
- **配置：** 單P通道
- **VDS：** -20V
- **VGS：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** -0.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）：**
- 25mΩ（在VGS=2.5V時）
- 16mΩ（在VGS=4.5V時）
- **最大持續(xù)漏電流（ID）：** -40A
- **技術：** Trench
**應用領域與模塊示例：**
J387-VB廣泛應用于開關電源、負載開關以及電機驅動電路等領域。其低導通電阻和高電流能力使其非常適合用于電池管理系統(tǒng)、LED驅動電路和消費電子設備，確保在多種應用條件下的高效性和可靠性。
