--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -250V
- VGS 20(±V)
- Vth -2V
- RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
- ID -6A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### J610-TL-E-VB 產(chǎn)品簡介
J610-TL-E-VB 是一款高性能單 P 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其額定漏源電壓 (VDS) 為 -250V,能夠支持高達 ±20V 的柵源電壓 (VGS)。該器件的開啟門限電壓 (Vth) 為 -2V,適用于較低的控制電壓。J610-TL-E-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時為 1200mΩ,在 VGS 為 10V 時為 1000mΩ,盡管導(dǎo)通電阻較高,但其能夠在負載較大時穩(wěn)定工作,最大漏極電流 (ID) 為 -6A。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),具備優(yōu)異的熱管理特性和高效能,適合各種電源和開關(guān)應(yīng)用。
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### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: J610-TL-E-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 P 溝道 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**: -250V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門限電壓 (Vth)**: -2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 1200mΩ @ VGS=4.5V
- 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -6A
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)
- **最大功耗 (PD)**: 100W
- **熱阻 (RθJC)**: 2.5°C/W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
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### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明
1. **高壓電源管理**: J610-TL-E-VB 特別適合用于高電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源適配器。這種高電壓 MOSFET 可以在電源轉(zhuǎn)換過程中提供穩(wěn)定的性能,有助于提高系統(tǒng)效率。
2. **電動汽車及電池管理**: 在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,J610-TL-E-VB 可以有效控制電池充放電過程,能夠處理較大的電流并承受高電壓,適合用于電池保護和監(jiān)測應(yīng)用。
3. **工業(yè)控制與自動化**: 該 MOSFET 也適用于工業(yè)自動化系統(tǒng)中的開關(guān)和控制應(yīng)用,尤其是在需要高電壓和中等電流的場合,如電機驅(qū)動和繼電器控制等。
4. **再生能源系統(tǒng)**: J610-TL-E-VB 在太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中也能發(fā)揮重要作用,能夠高效管理從光伏電池或風(fēng)力渦輪機輸出的電力,確保高效轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。其高電壓能力使其特別適合與高電壓再生能源系統(tǒng)配合使用。
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