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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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J637-TL-E-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: J637-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 250mΩ@VGS=10V
  • ID -8.8A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### J637-TL-E-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:

**J637-TL-E-VB**是一款高性能的P溝道MOSFET,專為高壓和中等功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用先進(jìn)的Trench技術(shù),能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和較低的導(dǎo)通電阻,使其在要求嚴(yán)格的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件封裝為**TO-252**,具有優(yōu)良的散熱特性,適用于各種電源管理和控制系統(tǒng)。

---

### J637-TL-E-VB 的詳細(xì)參數(shù)說明:

- **配置**:單個(gè)P溝道MOSFET
- **漏極-源極電壓(VDS)**:-100V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - **@VGS=4.5V 時(shí):280mΩ**
 - **@VGS=10V 時(shí):250mΩ**
- **漏極電流(ID)**:-8.8A
- **技術(shù)**:Trench
- **封裝**:TO-252
- **工作溫度范圍**:通常為-55°C至150°C(具體取決于制造商的詳細(xì)信息)
- **功耗(PD)**:依據(jù)TO-252封裝的限制,需進(jìn)一步確認(rèn)。

---

### 適用領(lǐng)域和示例:

1. **電源管理**:  
  **J637-TL-E-VB**適合用于各種**DC-DC轉(zhuǎn)換器**和電源模塊,能夠有效控制電流并提高轉(zhuǎn)換效率。其較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))可以減少能量損耗,提升整體能效,廣泛應(yīng)用于電源供應(yīng)和電壓調(diào)節(jié)場合。

2. **電動汽車**:  
  在**電動汽車**的電源管理系統(tǒng)中,J637-TL-E-VB可用于電池管理、驅(qū)動電機(jī)控制等領(lǐng)域,能夠在高壓環(huán)境中穩(wěn)定工作,確保安全和可靠性。

3. **工業(yè)設(shè)備**:  
  該MOSFET也適合用于各種**工業(yè)控制系統(tǒng)**,如電機(jī)驅(qū)動、自動化設(shè)備和其他需要高電流控制的應(yīng)用。其高壓能力(-100V)使其在各種工業(yè)環(huán)境中表現(xiàn)良好,能夠滿足嚴(yán)苛的工作條件。

4. **消費(fèi)電子**:  
  在**便攜式設(shè)備**和**充電器**中,J637-TL-E-VB可用于實(shí)現(xiàn)高效的電源管理解決方案。其高效能可以幫助延長電池壽命,并提升用戶體驗(yàn)。

綜上所述,**J637-TL-E-VB**是一款多功能的P溝道MOSFET,適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別是在高壓和中等功率需求的場合表現(xiàn)出色。

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