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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K1112-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K1112-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**K1112-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝設(shè)計,專為低至中等電壓應用而開發(fā)。其最大漏源電壓 (VDS) 可達 60V,最大柵源電壓 (VGS) 為 ±20V,使其適用于多種電源管理和開關(guān)應用。該型號的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,能夠在較低的柵電壓下快速導通,提升系統(tǒng)響應速度。K1112-VB 的導通電阻 RDS(ON) 在 VGS = 4.5V 時為 85mΩ,而在 VGS = 10V 時降低至 73mΩ,顯著提高了能效和降低了熱損耗。這些特點使 K1112-VB 成為電源轉(zhuǎn)換、驅(qū)動和汽車電子等多個領(lǐng)域的理想選擇。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: K1112-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單一 N 通道
- **VDS(漏源電壓)**: 60V
- **VGS(柵源電壓)**: ±20V
- **Vth(閾值電壓)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 
 - 85mΩ (在 VGS = 4.5V 時)
 - 73mΩ (在 VGS = 10V 時)
- **ID(漏電流)**: 18A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)(Trench)

### 應用領(lǐng)域及模塊示例

1. **開關(guān)電源**: K1112-VB 適合用于開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計,其低導通電阻和高效能的特性能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率,廣泛應用于消費電子產(chǎn)品如筆記本電腦和手機充電器中。

2. **LED 驅(qū)動**: 由于其高達 18A 的漏電流能力,K1112-VB 可作為 LED 驅(qū)動器的開關(guān)元件,確保高效的能量傳輸,滿足高亮度照明系統(tǒng)的需求。

3. **電動工具**: 該 MOSFET 可應用于電動工具的電機控制電路中,提供快速響應和高效能,有助于提升工具的性能和工作效率。

4. **電源管理 IC**: K1112-VB 可以用于各種電源管理集成電路,支持電池充電和電力分配應用,確保電力的高效使用,適合智能手機和其他便攜式設(shè)備。

5. **汽車電子**: 在汽車電子領(lǐng)域,該型號 MOSFET 可用于電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和動力管理應用,憑借其高效性和可靠性,滿足現(xiàn)代汽車對電子控制的高要求。

總之,K1112-VB 是一款多功能、高效能的 N 通道 MOSFET,適用于多種電源管理和驅(qū)動應用,為現(xiàn)代電子設(shè)計提供了優(yōu)良的解決方案。

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