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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1284-Z-E2-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1284-Z-E2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1284-Z-E2-VB MOSFET產(chǎn)品簡介

K1284-Z-E2-VB是一款高性能N溝道MOSFET,封裝類型為TO252,專為中等電壓應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏源極電壓(VDS)為100V,適用于多種柵極驅(qū)動配置,具有±20V的柵極電壓(VGS)范圍。閾值電壓(Vth)為1.8V,確保在低電壓驅(qū)動下也能快速導(dǎo)通。K1284-Z-E2-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為114mΩ(在VGS為10V時),可以在高電流環(huán)境中實現(xiàn)低功耗運行。該產(chǎn)品采用Trench技術(shù),具備良好的熱性能和電氣特性,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動機驅(qū)動和其他電子設(shè)備。

### K1284-Z-E2-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道MOSFET
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench

### K1284-Z-E2-VB應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源管理**: K1284-Z-E2-VB非常適合用于電源管理模塊,特別是在DC-DC變換器中,作為開關(guān)元件能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率并降低能量損耗。

2. **電動機驅(qū)動**: 該MOSFET在電動機控制應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,可用于電動工具、家電及電動汽車中的電動機驅(qū)動,提供可靠的開關(guān)控制和效率。

3. **LED驅(qū)動**: K1284-Z-E2-VB可應(yīng)用于LED驅(qū)動電路,確保LED照明系統(tǒng)的穩(wěn)定性和一致性,同時降低電源損耗,提高整體系統(tǒng)效率。

4. **開關(guān)電源**: 由于其低導(dǎo)通電阻,K1284-Z-E2-VB適合用于開關(guān)電源(SMPS),如適配器和電源轉(zhuǎn)換器,可以滿足高效電源解決方案的需求。

5. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電動窗、座椅調(diào)節(jié)等功能,能夠提供高效和可靠的性能,提升汽車的電子控制系統(tǒng)。

通過其優(yōu)異的電氣特性和廣泛的應(yīng)用范圍,K1284-Z-E2-VB MOSFET為現(xiàn)代電源管理和驅(qū)動控制提供了高效可靠的解決方案。

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