91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K1468-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1468-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1468-VB 產(chǎn)品簡介

K1468-VB 是一款高效的單N通道MOSFET,封裝采用TO252,專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為30V,適合多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件的閾值電壓(Vth)為1.7V,確保在低柵電壓下順利開啟。K1468-VB采用Trench技術(shù),提供極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為9mΩ(在4.5V柵電壓下)和7mΩ(在10V柵電壓下),能夠支持高達(dá)70A的最大漏電流(ID),顯著提高系統(tǒng)效率。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: K1468-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓(VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 9mΩ @ VGS=4.5V;7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

K1468-VB在多個(gè)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力,主要包括:

1. **電源管理**: 該MOSFET適合用于高效的直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC converters),能夠優(yōu)化電能轉(zhuǎn)換,提高整體效率。

2. **電動(dòng)工具**: 在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,K1468-VB能夠處理高電流,提供穩(wěn)定的功率輸出,確保設(shè)備在高負(fù)載下正常運(yùn)行。

3. **汽車電子**: 在汽車電源分配系統(tǒng)中,K1468-VB可作為電源開關(guān),支持高效的電力調(diào)節(jié),提升電動(dòng)汽車的能效。

4. **消費(fèi)電子**: 在各類消費(fèi)電子產(chǎn)品(如充電器和LED驅(qū)動(dòng)器)中,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)高效能的功率管理,改善產(chǎn)品性能和用戶體驗(yàn)。

通過以上參數(shù)和應(yīng)用示例,K1468-VB展現(xiàn)了其在低電壓高電流應(yīng)用中的理想特性,成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的重要選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    426瀏覽量