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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1623-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1623-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1623-VB 產(chǎn)品簡介

K1623-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 100V,適合于各種電力電子和開關(guān)應(yīng)用。其閾值電壓 (Vth) 為 1.8V,允許其在較低的柵電壓下導(dǎo)通,增強了器件的控制靈活性。K1623-VB 在 VGS=10V 時的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 30mΩ,確保在工作狀態(tài)下的高效能與低發(fā)熱。最大漏電流 (ID) 為 40A,使其適合于高功率需求的應(yīng)用,具有良好的熱管理能力和長期穩(wěn)定性。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:K1623-VB
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:35mΩ @ VGS=4.5V;30mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:40A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

K1623-VB 在多個應(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)優(yōu)異,適用于以下幾個主要模塊和領(lǐng)域:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
  - 在開關(guān)電源(SMPS)中,K1623-VB 可以作為主開關(guān)器件,幫助實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。其低 RDS(ON) 特性使其在高頻操作中表現(xiàn)出色,降低了能量損耗,提升了整體效率。

2. **電機驅(qū)動**:
  - 該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于電動機驅(qū)動系統(tǒng),能夠處理高達 40A 的電流,適合于直流電機和步進電機的控制。其快速開關(guān)特性有助于提高電機的響應(yīng)速度和效率,降低電機發(fā)熱。

3. **汽車電子**:
  - K1623-VB 在汽車電子系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)和電動車的動力系統(tǒng)中,能夠提供穩(wěn)定的電源開關(guān)解決方案。其高耐壓和強大的電流能力使其在汽車高功率應(yīng)用中表現(xiàn)良好。

4. **LED 驅(qū)動**:
  - 在 LED 照明驅(qū)動電路中,K1623-VB 可作為高效的開關(guān)器件,實現(xiàn) LED 的精確調(diào)光和控制。其低導(dǎo)通電阻有助于提高LED的效率并延長其使用壽命。

5. **充電器和電池管理**:
  - 該 MOSFET 可用于充電器和電池管理模塊,幫助控制電池充放電過程。憑借其高電流能力,K1623-VB 能夠處理快速充電和高效能管理需求,保障安全和效率。

綜上所述,K1623-VB 是一款多功能、高性能的 N 溝道 MOSFET,適合在高電壓和高電流應(yīng)用場合中使用,為現(xiàn)代電力電子設(shè)備提供了可靠的解決方案。

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