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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1717-VB TO252一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1717-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
K1717-VB是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為60V,能夠有效處理多種負載條件。該MOSFET的最大漏電流(ID)為18A,確保在高功率情況下的穩(wěn)定性。K1717-VB在不同柵極電壓下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))表現(xiàn)出色:在4.5V時為85mΩ,而在10V時為73mΩ。這使其在開關(guān)損耗和熱管理方面具備良好的表現(xiàn),適合高頻開關(guān)應(yīng)用。該器件采用Trench技術(shù),提供更低的導(dǎo)通損耗和更高的效率,廣泛應(yīng)用于多種電子產(chǎn)品和電源管理系統(tǒng)中。

### 詳細參數(shù)說明
- **型號**:K1717-VB  
- **封裝**:TO252  
- **配置**:Single-N-Channel  
- **VDS**:60V  
- **VGS**:±20V  
- **Vth**:1.7V  
- **RDS(ON)**:  
 - 85mΩ(@VGS=4.5V)  
 - 73mΩ(@VGS=10V)  
- **ID**:18A  
- **技術(shù)**:Trench  

### 適用領(lǐng)域和模塊
K1717-VB適用于多種領(lǐng)域,特別是在電源管理和電動設(shè)備控制中表現(xiàn)突出。在便攜式設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中,如手機充電器和電池管理系統(tǒng),該MOSFET能夠高效控制電流流動,提升能效和續(xù)航能力。此外,在電機驅(qū)動和工業(yè)自動化設(shè)備中,K1717-VB作為開關(guān)元件,能有效管理電動機的啟動和運行,提高系統(tǒng)的可靠性。在汽車電子領(lǐng)域,這款MOSFET也被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換和分配,確保電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性??傊?,K1717-VB憑借其卓越的性能和適用性,成為現(xiàn)代電子應(yīng)用中的重要組件。

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