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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1920-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1920-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
  • ID 17A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1920-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K1920-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏極-源極電壓(VDS)為250V,適合需要中高電壓和高電流處理的應(yīng)用場(chǎng)合。該MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時(shí)為176mΩ,能夠有效降低開關(guān)損耗,從而提高系統(tǒng)的能效。最大漏極電流(ID)為17A,使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的性能和穩(wěn)定性,特別適合高效率電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

### K1920-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:250V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:176mΩ(VGS=10V時(shí))
- **最大漏極電流 (ID)**:17A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽技術(shù))

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:
  K1920-VB非常適合在開關(guān)電源模塊中使用,尤其是用于AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠有效提高電源效率,減少能量損耗,適合高功率電源解決方案。

2. **電機(jī)控制**:
  該MOSFET在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,可以用于工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)。其能夠承受的電流和電壓特性使其在控制電機(jī)啟動(dòng)和調(diào)速時(shí)保持高效率,有助于提升電機(jī)的運(yùn)行性能。

3. **LED驅(qū)動(dòng)器**:
  K1920-VB同樣適用于LED驅(qū)動(dòng)電路,特別是在需要高電流驅(qū)動(dòng)的高功率LED應(yīng)用中。其良好的導(dǎo)通性能可以確保LED在運(yùn)行過程中獲得穩(wěn)定的電流,增強(qiáng)亮度和延長(zhǎng)使用壽命。

4. **高頻開關(guān)應(yīng)用**:
  由于其優(yōu)異的開關(guān)性能,K1920-VB可以用于高頻開關(guān)應(yīng)用,如無線充電器和各種RF(射頻)設(shè)備。在這些應(yīng)用中,MOSFET的快速開關(guān)能力能夠減少開關(guān)損耗,提高整體能效。

綜上所述,K1920-VB以其高電流和高壓能力,適用于多種中等電壓應(yīng)用領(lǐng)域,包括電源管理、電機(jī)控制和LED驅(qū)動(dòng)等。其卓越的性能和高效能為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)提供了可靠的解決方案。

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